装配说明
MOS / IGBT芯片
推荐焊接系统
艾赛斯建议使用软焊料芯片连接用92.5％的Pb ， 5 ％的Sn和2.5 ％的Ag的焊料组合物。最大的芯片附着
温度为460 ℃， MOSFET和360 ℃下进行HiPerFET
TM
和IGBT 。
引线键合
它建议使用金属丝直径不大于0.38毫米（ 0.015" ），用于接合到源极发射极和栅极焊盘更大。多种
电线，以代替较厚的金属丝被用来处理高漏电或发射极电流。请参阅表推荐的线数
债券。在较小的栅极焊盘0.15毫米建议。
热响应测试
以确保良好的芯片附接处理，每MIL-STD 750热响应测试，方法3161或等效应该执行。
双极型芯片
组装
艾赛斯双极型半导体芯片有一个软焊，多层金属（钛/镍/银）在底侧上，并且在上面，或者
相同的金属化方案或alumunium层足够厚，对于超声波接合。注意，金属的最后一层为
焊接是纯银。
不管它们的类型的所有的芯片具有相同的玻璃钝化结终端系统在芯片的顶部。由于这个原因
它们可以很容易地芯片键合，或者它们都可以被简单地焊接到平面接触电极按照总则的上
页3.各种常用的软钎料与以下660 ℉（ 350℃）的熔点，可用于由于其纯银顶部金属。
焊料具有高熔点，优选由于其更好的功率循环能力，也就是说，它们对热更耐
疲劳。
钎焊温度应不超过750 °F（ 400 ℃）。最高温度不应施加超过五
分钟。
正如上面的数据表所引用的电性能已经提到的，只能用正确组装芯片来获得。
这是唯一可能的时候进行焊接所有接触材料一起被很好润湿和焊接几乎没有空隙。
一种简单的方式实现良好的钎焊连接是使用一个带式炉与含有至少10％的工艺气体在运行
氢氮。
其他认可的方法也是允许的，只要上述的温度 - 时间没有超过限制和
避免温度震荡以上930 °F /分钟（ 500 K /分钟）。
我们不建议使用助焊剂焊接！
超声波焊线
设置有一厚的铝层的芯片被设计为超声波引线接合。丝直径可达500μm的可用于
依赖于芯片类型。在并行和应用针引线键合线设置浪涌电流额定值媲美
焊接芯片。
涂料
虽然芯片玻璃钝化，他们必须受到保护，免受电弧和环境的影响。该涂层材料
这是在与芯片表面必须具有以下性质接触：
- 弹性（以防止机械应力）
- 高纯度，与碱金属无污染
- 良好的粘附性的金属和玻璃钝化。
4
版权所有2004 IXYS所有权利。
