符号和定义
C
IES
C
国际空间站
-di / dt的
I
C
I
D
I
F
I
F（ AV ）M
I
FSM
I
GT
I
R
I
RM
I
T
I
T（ AV ）M
I
TSM
R
DS （ ON）
R
thJC
r
T
T
例
T
h
t
fi
T
j
,
T
（ VJ ）
T
jm
,
T
（ VJ ）M
t
rr
V
CE （ SAT ）
V
CES
V
DRM
V
DSS
V
F
V
R
V
RRM
V
T
V
T0
IGBT的输入电容
MOSFET的输入电容
速度减小的正向电流的
DC集电极电流
漏电流
二极管的正向电流
在指定的T最大平均正向电流
h
峰值一个周期正向电流浪涌
门极触发电流
反向电流
最大峰值恢复电流
晶闸管的正向电流
最大平均通态电流的晶闸管
在指定的T
h
晶闸管的最大浪涌电流
静态漏源导通电阻
热阻结到外壳
晶闸管或二极管的斜率电阻
（对于功率损耗的计算）
外壳温度
散热器温度
电流下降时间带感性负载
结温
最高结温
二极管的反向恢复时间
集电极 - 发射极饱和电压
最大集电极 - 发射极电压
最大可重复正向阻断
晶闸管的电压
漏源击穿电压
二极管的正向电压
反向电压
晶闸管的最大峰值反向电压或
二极管
通态晶闸管的电压
晶闸管或二极管的阈值电压（
功率损耗的计算只）
命名法
IGBT和MOSFET的分立
IXSD 40N60A
IX
E
F
G
S
T
D
40
N
P
60
xx
A
Q
Q2
P
L
--
A
B
C
MOSFET
总理的RDS（on ）的MOSFET标准
低栅极电荷模
低栅极电荷模具，第二代
PolarHTTM功率MOSFET
平板模式MOSFET
IGBT
不信，低VCE （SAT）
或A2 ，标准速型
或B2 ，高速型
或C2中，非常高的速度型
（例）
IXYS
模具技术
不扩散核武器条约
3
IGBT
HiPerFETTM功率MOSFET
快速IGBT
IGBT具有短路安全功能
标准功率MOSFET
未组装的芯片（管芯）
额定电流， 40 = 40 A
N沟道型
P沟道型
电压等级， 60 = 600 V
二极管和晶闸管芯片
C- DWEP 69-12
C
D
W
EP
（二极管例）
套餐类型
芯片的功能
D =硅整流二极管
未组装芯片
工艺代号
EP =外延整流二极管
N =整流二极管，阴极顶部
P =整流二极管，阳极上的顶
FN =快速整流二极管，阴极顶部
FP =快速整流二极管，阳极顶部
69
-12
一个芯片的额定电流值
电压等级， 12 = 1200 V
（晶闸管例）
套餐类型
C
W
P
芯片的功能
C =硅相控晶闸管
未组装芯片
工艺代号
P =平面钝化芯片
阴极顶部
55
12/18
一个芯片的额定电流值
电压等级， 12/18 = 1200至1800 V
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001947 TS2 /一万七千五百五十七分之七百六十五
注册号：
001947
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W
芯片和DCB陶瓷基板数据手册
2004年版
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至于第三方专利或其他权利而言，唯一的责任是
假设芯片和本身DCB部分，而不是用于应用程序，进程和
电路的元件或组件来实现。交货条件和对
有权改变设计或规格被保留。
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