SFW/I9610
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
-200
--
-2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-0.2
--
--
--
--
--
--
1.1
220
45
16
10
20
27
12
9
1.8
4.8
--
--
-4.0
-100
100
-10
-100
3.0
--
285
65
25
30
50
65
35
11
--
--
nC
ns
pF
A
V
o
P沟道
功率MOSFET
电气特性
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=-250A
参见图7
V
DS
=-5V,I
D
=-250A
V
GS
=-30V
V
GS
=30V
V
DS
=-200V
V
DS
=-160V,T
C
=125 C
V
GS
=-10V,I
D
=-0.9A
V
DS
=-40V,I
D
=-0.9A
4
O
4
O
o
V / C I
D
=-250A
V
nA
V
GS
=0V,V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=-100V,I
D
=-1.75A,
R
G
=18
见图13
4
5
OO
V
DS
=-160V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.75A
参见图6 &图12
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
110
0.42
-1.75
-7.0
-4.0
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
= 25℃ ，我
S
=-1.75A,V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-1.75A
di
F
/dt=100A/s
4
O
o
o
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
2
O
L = 70mH ，我
AS
= -1.75A ，V
DD
= -50V ，R
G
=27
*
，起始物为
J
=25
o
C
3
_
＆ LT ;
＆ LT ;
O
I
SD
_
-1.75A ， di / dt的
＆ LT ;
250A / μs的，V
DD
_
BV
DSS
，起始物为
J
=25
o
C
4
脉冲测试：脉冲宽度= 250
s,
占空比
＆ LT ;
2%
_
O
5
O
基本上是独立工作温度
