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先进的功率MOSFET

特点

雪崩坚固的技术

坚固的门栅氧化层技术

较低的输入电容

改进的栅极电荷

扩展安全工作区

低漏电流： 10

A

（最大值） @ V

DS

= -200V

低R

DS （ ON）

: 2.084

（典型值）。

1

SFW/I9610

BV

DSS

= -200 V

R

DS （ ON）

= 3.0

I

D

= -1.75 A

D

2

-PAK

2

I

2

-PAK

1

3

2

3

1.门2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

C

=25 C)

连续漏电流（T

C

=100 C)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

A

=25 C) *

总功率耗散（T

C

=25 C)

线性降额因子

T

J

, T

英镑

T

L

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

的目的，

1/8”

案件从5秒

o

o

2

O

1

O

1

O

3

O

o

o

价值

-200

-1.75

-1.0

1

O

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W

W / C

o

-7.0

+

30

_

143

-1.75

2.0

-5.0

3.1

20

0.16

- 55 + 150

o

C

300

热阻

符号

R

θ

JC

R

θ

JA

R

θ

JA

特征

结到外壳

结到环境*

结到环境

典型值。

--

--

--

马克斯。

6.25

40

62.5

o

单位

C / W

*

当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）。

版本B

1999仙童半导体公司

SFW/I9610

符号

BV

DSS

ΔBV / ΔT

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

分钟。典型值。马克斯。单位

-200

--

-2.0

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

-0.2

--

--

--

--

--

--

1.1

220

45

16

10

20

27

12

9

1.8

4.8

--

--

-4.0

-100

100

-10

-100

3.0

--

285

65

25

30

50

65

35

11

--

--

nC

ns

pF

A

V

o

P沟道

功率MOSFET

电气特性

(T

C

=25

o

C除非另有说明）

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=-250A

参见图7

V

DS

=-5V,I

D

=-250A

V

GS

=-30V

V

GS

=30V

V

DS

=-200V

V

DS

=-160V,T

C

=125 C

V

GS

=-10V,I

D

=-0.9A

V

DS

=-40V,I

D

=-0.9A

4

O

4

O

o

V / C I

D

=-250A

V

nA

V

GS

=0V,V

DS

= -25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=-100V,I

D

=-1.75A,

R

G

=18

见图13

4

5

OO

V

DS

=-160V,V

GS

=-10V,

I

D

=-1.75A

参见图6 &图12

4

5

OO

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

1

O

4

O

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

110

0.42

-1.75

-7.0

-4.0

--

--

A

V

ns

C

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

= 25℃ ，我

S

=-1.75A,V

GS

=0V

T

J

= 25℃ ，我

F

=-1.75A

di

F

/dt=100A/s

4

O

o

o

注意事项;

1

O

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

2

O

L = 70mH ，我

AS

= -1.75A ，V

DD

= -50V ，R

G

=27

*

，起始物为

J

=25

o

C

3

_

＆ LT ;

＆ LT ;

O

I

SD

_

-1.75A ， di / dt的

＆ LT ;

250A / μs的，V

DD

_

BV

DSS

，起始物为

J

=25

o

C

4

脉冲测试：脉冲宽度= 250

s,

占空比

＆ LT ;

2%

_

O

5

O

基本上是独立工作温度

P沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

V

GS

SFW/I9610

如图2传输特性

[A]

-I

D

，漏电流

10

0

150

o

C

25

o

C

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

o

-I

D

，漏电流

[A]

上图：

10

0

- 15 V

- 10 V

- 8.0 V

- 7.0 V

- 6.0 V

- 5.5 V

- 5.0 V

下图： - 4.5 V

10

-1

@注意事项：

1. 250

s脉冲测试

2. T = 25

o

C

C

0

10

- 55 C

10

1

10

-1

2

4

6

2. V = -40 V

DS

3. 250

s脉冲测试

10

-1

8

10

-V

DS

，漏源电压[V]

-V

GS

，栅源电压[V]

R

DS （ ON）

, [ ]

漏源导通电阻

10

8

6

V

GS

= -10 V

4

-I

DR

，反向漏电流

[A]

图3.导通电阻与漏电流

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

10

0

150

o

C

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. 250

s脉冲测试

2

V

GS

= -20 V

0

0

1

2

3

4

5

6

7

@注： T = 25

o

C

J

25

o

C

10

-1

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-I

D

，漏电流[ A]

-V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

C

国际空间站

= C

gs

+ C ( C

ds

=短路）

gd

图6.栅极电荷与栅源电压

[V]

400

C

国际空间站

300

C

OSS

200

C

RSS

100

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. F = 1 MHz的

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

[ pF的]

-V

GS

，栅源电压

10

V

DS

= -40 V

V = -100 V

DS

V = -160 V

DS

电容

5

@注： I = -1.75一

D

0

0

2

4

6

8

10

0

10

0

1

10

-V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

SFW/I9610

-bv

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

P沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

漏源导通电阻

3.0

图7.击穿电压与温度的关系

1.2

R

DS （ ON）

（归一化）

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

@注意事项：

1. V = -10 V

GS

2. I = -0.9一

D

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

175

0.9

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. I = -250

A

D

0.5

0.8

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

175

0.0

-75

T

J

，结温[

o

C]

T

J

，结温[

o

C]

[A]

图9.最大。安全工作区

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

1

0.1毫秒

1毫秒

10

0

10毫秒

DC

@注意事项：

1. T = 25

o

C

C

2. T = 150

o

C

J

3.单脉冲

图10.最大。漏电流与外壳温度

[A]

-I

D

，漏电流

2.0

-I

D

，漏电流

1.5

1.0

10

-1

0.5

10

-2

10

0

10

1

10

2

0.0

25

50

75

100

o

125

150

-V

DS

，漏源电压[V]

T

c

，外壳温度[C]

图11.热响应

热响应

D=0.5

@注意事项：

1. Z

θ

J·C

(t)=6.25

o

C / W最大。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

J·M

-T

C

=P

D M

*Z

θ

J·C

(t)

0.05

0.02

0.01

10

- 1

单脉冲

0.2

10

0

0.1

P

.

DM

t

1.

t

2.

Z

θ

JC

(t) ,

10

- 5

10

- 4

10

- 3

10

- 2

10

- 1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间

[秒]

P沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

SFW/I9610

“电流调节器”

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

GS

Q

g

-10V

V

DS

V

GS

DUT

-3mA

Q

gs

Q

gd

R

1

电流取样（我

G

)

电阻器

R

2

电流取样（我

D

)

电阻器

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

R

L

V

OUT

V

in

R

G

DUT

-10V

V

OUT

90%

t

on

t

关闭

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

t

D（上）

V

in

10%

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

L

V

DS

异吨

p

获得

所需的峰值I

D

BV

DSS

1

2

--------------------

E

AS

= ---- L

L

I

AS

2

BV

DSS

-- V

DD

t

p

I

D

V

DD

时间

V

DS

(t)

R

G

DUT

-10V

t

p

C

V

DD

I

D

(t)

I

AS

BV

DSS

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