DRV8814
SLVSAB9C
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2010年5月
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修订2011年3月
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消隐时间
后电流在H桥被使能，在希森引脚上的电压被忽略的固定时间段
前使电流检测电路。这消隐时间固定为3.75
μs.
注意，该消隐时间也
设置最小的PWM时间。
n重设和nSLEEP操作
在nRESET管脚，当驱动低电平，复位内部逻辑。它还禁止H桥驱动器。所有输入
被忽略，而则复位被激活。
驾驶nSLEEP过低都会使器件进入低功耗的睡眠状态。在这种状态下， H桥被禁用，则
栅极驱动电荷泵停止， V3P3OUT稳压器被禁用，所有的内部时钟都将停止。在
这种状态下所有的输入被忽略，直到nSLEEP返回未激活高。当从睡眠模式返回，一段时间
（约1毫秒），需要通过之前的电机驱动器全面投入运作。
保护电路
该DRV8814完全防止欠压，过流和过温事件。
过电流保护（ OCP ）
在各FET的模拟电流限制电路限制电流通过FET通过去除栅极驱动器。如果这
模拟电流限制持续超过OCP的时间越长，在H桥所有的FET将被禁用，
nFAULT引脚将被拉低。直到nRESET管脚施加器件将保持关闭，或VM是
删除并重新施加。
高，低侧设备上的过流条件;也就是说，接地短路，电源，或通过电机
绕线都将导致过流关断。需要注意的是过电流保护不使用电流检测
用于PWM电流控制电路，和独立于我的
SENSE
电阻值或电压VREF 。
热关断（ TSD ）
如果芯片温度超过安全范围，在H桥场效应管都将被禁用， nFAULT销会
驱动为低电平。一旦芯片温度已经下降到一个安全的水平操作将自动恢复。
欠压锁定（ UVLO ）
如果在任何时间上的VM引脚的电压低于欠压锁定阈值电压，所有的电路在
器件将被禁用，内部逻辑会被重置。运行后，将继续V
M
上升到高于UVLO
门槛。
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DRV8814
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2010-2011年，德州仪器
