DRV8814
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SLVSAB9C
–
2010年5月
–
修订2011年3月
直流电动机驱动器IC
检查样品：
DRV8814
1
特点
双H桥电流控制电机驱动器
–
驱动两个直流电机
–
制动方式
–
两位绕组电流控制允许最多
4当前水平
–
低压MOSFET的导通电阻
2.5最大驱动电流为24 V ，25°C
内置3.3 V基准电压输出
行业标准的并行数字控制
接口
2
8 V至45 V工作电源电压范围
耐热增强型表面贴装封装
打印机
扫描仪
办公自动化设备
游戏机
工厂自动化
机器人
应用
描述
该DRV8814提供了打印机，扫描仪的集成电机驱动器解决方案，以及其他自动化
设备的应用程序。该设备具有两个H桥驱动器，并用于驱动直流电动机。输出
对于每个驱动块包括配置成H桥来驱动电动机的N沟道功率MOSFET的
绕组。该DRV8814可提供高达2.5 -A峰值或1.75 -A RMS输出电流（在适当的散热
24 V和25 ° C） ，每股H桥。
一个简单的并行数字控制接口与行业标准的设备兼容。衰减模式
可编程的，使刹车或禁用滑行时电机。
提供过电流保护，短路保护内部关断功能，欠压
锁定和过温保护。
TheDRV8814可在一个28引脚HTSSOP封装，使用PowerPad （环保：符合RoHS
＆放大器;
无锑/溴） 。
订购信息
(1)
T
A
–40°C
至85℃
(1)
(2)
包
(2)
使用PowerPad （ HTSSOP ） - PWP
2000年卷
订购零件
数
DRV8814PWPR
TOP- SIDE
记号
8814
有关最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
2010-2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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表1.端子功能
名字
针
I / O
(1)
描述
外部元件
或连接
电源和接地
GND
VMA
VMB
V3P3OUT
CP1
CP2
VCP
控制
AENBL
APHASE
AI0
AI1
BENBL
BPHASE
BI0
BI1
衰变
n重设
nSLEEP
AVREF
BVREF
状态
nFault
产量
ISENA
ISENB
AOUT1
AOUT2
BOUT1
BOUT2
(1)
6
9
5
7
10
8
IO
IO
O
O
O
O
桥有地面/ ISENSE
网桥B地面/ ISENSE
桥有输出1
桥有输出2
网桥B输出1
网桥B输出2
连接到电流检测电阻的一个桥梁
连接到电流检测电阻电桥B
连接到电机绕组
连接到电机绕组B
18
OD
故障
（在故障状态时，逻辑低温度过高，
过流）
21
20
24
25
22
23
26
27
19
16
17
12
13
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
网桥A启用
桥A相（方向）
桥有电流设定
网桥B启用
桥B相（方向）
网桥B电流设定
衰减（制动）模式
复位输入
休眠模式下的输入
桥有电流设定基准输入
网桥B组目前的参考输入
逻辑高，令一桥
逻辑高台AOUT1高， AOUT2低
台桥电流： 00 = 100 ％ ，
01 = 71%, 10 = 38%, 11 = 0
逻辑高电平，使桥B
逻辑高台BOUT1高， BOUT2低
台网桥B电流： 00 = 100 ％ ，
01 = 71%, 10 = 38%, 11 = 0
低=制动器（慢衰减） ，
高=海岸（快速衰减）
低电平有效的复位输入初始化内部逻辑
并禁止H桥输出
逻辑高电平使能器件，逻辑低电平输入
低功耗休眠模式
参考电压绕组电流设定。
可以单独驱动与外部
DAC的微，或绑在一个参考
（例如， V3P3OUT ） 。
14, 28
4
11
15
1
2
3
-
-
-
O
IO
IO
IO
接地装置
桥的电源
网桥B电源
3.3 V稳压器输出
电荷泵飞电容器
电荷泵飞电容器
高侧栅极驱动电压
连接到电机电源（ 8 - 45 V ） 。两个引脚
必须连接到同一电源。
旁路至GND 0.47 - 6.3 μF -V陶瓷
电容。可用于提供VREF。
之间连接一个0.01 μF 50 V的电容
CP1和CP2 。
连接一个0.1 μF 16 V陶瓷电容
VM 。
路线： I =输入， O =输出， OZ =三态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出
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3
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PWP封装
（ TOP VIEW ）
CP1
CP2
VCP
VMA
AOUT1
ISENA
AOUT2
BOUT2
ISENB
BOUT1
VMB
AVREF
BVREF
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
GND
（ PPAD ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
BI1
BI0
AI1
AI0
BPHASE
BENBL
AENBL
APHASE
衰变
nFault
nSLEEP
n重设
V3P3OUT
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VMX
VREF
电源电压范围
数字引脚电压范围
输入电压
ISENSEx引脚电压
山顶电机驱动的输出电流，T
＆ LT ;
1
μS
连续马达驱动输出电流
连续总功率耗散
T
J
T
A
T
英镑
(1)
(2)
(3)
经营虚拟结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
(3)
(1) (2)
价值
–0.3
47
–0.5
7到
–0.3
4
–0.3
0.8
内部限制
2.5
–40
150
–40
85
–60
150
单位
V
V
V
V
A
A
°C
°C
°C
见耗散额定值表
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
功耗和散热的限制必须遵守。
4
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热信息
DRV8814
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
PWP
28个引脚
31.6
15.9
5.6
0.2
5.5
1.4
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
M
V
REF
I
V3P3
f
PWM
(1)
(2)
电机电源电压范围
(1)
VREF输入电压
(2)
V3P3OUT负载电流
外加PWM频率
8
1
0
0
喃
最大
45
3.5
1
100
单位
V
V
mA
千赫
所有V
M
引脚必须连接到相同的电源电压。
在业务VREF 0 V至1 V ，但精度下降。
版权
2010-2011年，德州仪器
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DRV8814
5
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