DMN55D0UT

1.1

V

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

1.0

1

I

S

，源电流（ A）

0.1

0.9

I

D

= 250A

T

A

= 150°C

新产品

0.8

0.01

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

0.7

0.001

T

A

= 25°C

T

A

= -55°C

0.6

-25

0

25

50

75 100 125 150

T

A

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值变化与环境温度

0.5

-50

0.0001

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

V

SD

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

1

R（T ） ，瞬态热阻

D = 0.7

D = 0.5

D = 0.3

D = 0.9

0.1

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

R

θ

JA

（吨） = R （t）的R *

θ

JA

R

θ

JA

= 625 ° C / W

P（ PK）

0.01

D = 0.005

D =单脉冲

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θ

JA

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，脉冲持续时间（s ）

图。 9瞬态热响应

1

10

100

订购信息

产品型号

DMN55D0UT -7

注意事项：

（注5 ）

例

SOT-523

包装

3000 /磁带&卷轴

5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

NAC =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： U = 2007

M =月前： 9 =九月

NAC

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

1

YM

2007

U

FEB

2

MAR

3

2008

V

APR

4

五月

5

2009

W

JUN

6

JUL

7

2010

X

八月

8

SEP

9

2011

Y

十月

O

NOV

N

2012

Z

DEC

D

2008年3月

Diodes公司

DMN55D0UT

文件编号： DS31330修订版3 - 2

3 4

www.diodes.com