DMN55D0UT
0.8
0.7
0.6
0.5
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 10V
0.5
V
DS
= 10V
0.4
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 4.5V
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.3
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
新产品
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.0V
V
GS
= 2.5V
0.2
0.1
0
5
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
0
1
2
3
V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
4
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
V
GS
= 2.5V
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.0V
T
A
= -55°C
1
0.001
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
I
D
，漏电流（ A）
图。 4典型的漏源导通电阻
与漏电流和温度
0.1
0.01
0.1
I
D
，漏电流（ A）
图。 3典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
1
2.0
1.8
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
V
GS
= 4V
I
D
= 100毫安
35
30
C，电容（pF ）
25
20
F = 1MHz的
C
国际空间站
V
GS
= 2.5V
I
D
= 80毫安
15
10
5
0
0
V
GS
= 0V
C
OSS
C
RSS
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图。 5导通电阻随温度的变化
5
10
15
20
25
30
35
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 6典型电容
40
DMN55D0UT
文件编号： DS31330修订版3 - 2
2 4
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2008年3月
Diodes公司
