CY8CLED04D01 ， CY8CLED04D02 ， CY8CLED04G01
CY8CLED03D01 ， CY8CLED03D02 ， CY8CLED03G01
CY8CLED02D01 ， CY8CLED01D01
15.15 PSoC内核模拟参考
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V ，
T
J
和115 ℃下的额定工业设备4.75 V至5.25 V ，T
J
125°C的扩展温度等级的设备。典型参数
适用于5 V在25℃ 。这些仅作为设计指导。
保证规格值通过模拟连续时间PSoC模块进行测量。的功率电平为AGND指
模拟连续时间PSoC模块的电源。功率电平为REFHI和RefLo的参考模拟参考控制
注册。说的AGND限制包括AGND缓冲区本地模拟连续时间PSoC模块的偏移误差。
参考控制功率高。
表15-29 。模拟参考DC规格
符号
BG
描述
带隙基准电压源
民
1.28
1.27
典型值
1.30
1.30
最大
1.32
1.33
单位
V
V
笔记
工业额定
EXTENDED
温度
评级
工业额定
EXTENDED
温度
评级
–
AGND - V
DD
/2
[15]
V
DD
/2 – 0.04
V
DD
/2 – 0.02
V
DD
/2 – 0.01
V
DD
/2
V
DD
/2 + 0.007
V
DD
/2 + 0.02
V
V
–
–
–
–
–
–
–
–
AGND = 2×隙
[15]
AGND =带隙
[15]
AGND = 1.6×隙
[15]
AGND座到座变异
（ AGND - V
DD
/2)
[15]
REFHI = V
DD
/ 2 +带隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 3.2×隙
RefLo的= V
DD
/ 2 - 能带隙
2个BG - 0.048
BG - 0.009
–0.034
V
DD
/ 2 + BG -
0.10
3× BG - 0.06
3.2× BG - 0.112
V
DD
/ 2 - BG -
0.04
V
DD
/ 2 - BG -
0.06
BG - 0.06
2个BG - 0.030
BG + 0.008
0.000
V
DD
/ 2 + BG
3× BG
3.2× BG
V
DD
/ 2 - BG
+
0.024
V
DD
/ 2 - BG
2个BG + 0.024
BG + 0.016
0.034
V
DD
/ 2 + BG +
0.10
3× BG + 0.06
3.2× BG + 0.076
V
DD
/ 2 - BG +
0.04
V
DD
/ 2 - BG +
0.06
BG + 0.06
V
V
V
V
V
V
V
V
V
工业额定
EXTENDED
温度
评级
1.6× BG - 0.022 1.6× BG - 0.010 1.6× BG + 0.018
–
REFLO =带隙
BG
V
15.16 PSoC内核模拟模块
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V ，
T
J
和115 ℃下的额定工业设备4.75 V至5.25 V ，T
J
125°C的扩展温度等级的设备。典型参数
适用于5 V在25℃ 。这些仅作为设计指导。
表15-30 。模拟模块直流规范
符号
R
CT
C
SC
描述
电阻的单位值（连续时间）
电容器单元值（切换
电容器）
民
–
–
典型值
12.2
80
最大
–
–
单位
k
fF
笔记
笔记
15. AGND宽容，包括在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。带隙电压为1.3 V± 0.02 V.
文件编号： 001-46319修订版* M
第46页55
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