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CY7C1361C/CY7C1363C
3.3V TAP交流测试条件
输入脉冲电平............................................... ..V
SS
至3.3V
输入上升和下降时间............................................. ....... 1纳秒
输入时序参考电平1.5V ...........................................
输出参考电平............................................... 1.5V ...
测试负载端接电源电压1.5V ..............................
2.5V TAP交流测试条件
输入脉冲电平............................................... .. V
SS
到2.5V
输入上升和下降时间............................................. ........ 1纳秒
输入时序参考水平......................................... 1.25V
输出参考电平............................................... 。 1.25V
测试负载端接电源电压1.25V ............................
3.3V TAP AC输出负载等效
1.5V
50Ω
TDO
Z
O
= 50Ω
20pF
2.5V TAP AC输出负载等效
1.25V
50Ω
TDO
Z
O
= 50Ω
20pF
TAP DC电气特性和操作条件
（0°C < TA < + 70°C ; VDD = 3.3V ± 0.165V ，除非另有说明）
[11]
参数
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
描述
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
DDQ
描述
I
OH
= -4.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= –100 A
I
OL
= 8.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
I
OL
= 100 A
条件
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
民
2.4
2.0
2.9
2.1
0.4
0.4
0.2
0.2
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
识别寄存器定义
指令字段
版本号（ 31:29 ）
设备深度（ 28:24 ）
[12]
设备宽度（ 23:18 ） 119 -BGA
设备宽度（ 23:18 ） 165 - FBGA
赛普拉斯设备ID （ 17:12 ）
CYPRESS JEDEC ID CODE （ 11 ： 1 ）
ID寄存器状态指示器（ 0 ）
CY7C1361C
（ 256K X36 ）
000
01011
101001
000001
100110
00000110100
1
CY7C1363C
（ 512K X18 ）
000
01011
101001
000001
010110
00000110100
1
描述
描述的版本号。
仅供内部使用
定义内存类型和建筑
定义内存类型和建筑
定义宽度和密度
允许的SRAM供应商的唯一标识。
指示的ID寄存器中的存在。
笔记
11.所有电压参考V
SS
（GND）。
12位＃ 24为“1 ”的寄存器定义了该设备的两个2.5V和3.3V版本。
文件编号： 38-05541牧师* G
第16页32
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