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CY7C1318CV18 ， CY7C1320CV18
写周期说明
BWS
0
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
BWS
1
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
BWS
2
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
BWS
3
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
对于CY7C1320CV18写周期说明表如下所示。
[9, 10]
K
L-H
–
L-H
–
L-H
–
L-H
–
L-H
–
L-H
–
K
–
评论
在写过程的数据部分，全部四个字节（D
[35:0]
）被写入到
该设备。
L-H在写过程的数据部分，全部四个字节（D
[35:0]
）被写入到
该设备。
–
在写序列中，只有低字节的数据部分（D
[8:0]
）被写入
到器件中。
[35:9]
保持不变。
L-H在写过程的数据部分，只有低字节（D
[8:0]
）被写入
到器件中。
[35:9]
保持不变。
–
在写顺序中，只有一个字节的数据部分（D
[17:9]
）写入到
该设备。
[8:0]
和D
[35:18]
保持不变。
L-H在写过程中，只有一个字节的数据部分（D
[17:9]
）写入到
该设备。
[8:0]
和D
[35:18]
保持不变。
–
在写顺序中，只有一个字节的数据部分（D
[26:18]
）写入到
该设备。
[17:0]
和D
[35:27]
保持不变。
L-H在写过程中，只有一个字节的数据部分（D
[26:18]
）写入到
该设备。
[17:0]
和D
[35:27]
保持不变。
–
在写顺序中，只有一个字节的数据部分（D
[35:27]
）写入到
该设备。
[26:0]
保持不变。
L-H在写过程中，只有一个字节的数据部分（D
[35:27]
）写入到
该设备。
[26:0]
保持不变。
–
不会有任何数据写入操作的这一部分写入设备。
L-H不会有任何数据的写操作的这一部分写入到器件中。
笔记
9. X = “无需关注”，H =逻辑高电平，L =逻辑低电平，
代表上升沿。
10.是基于被根据启动的写周期
写周期说明
表。 BWS
0
， BWS
1
， BWS
2
和BWS
3
可以在不同的部分被改变
的一个写周期，只要建立和保持需求得以实现。
文件编号： 001-07160修订版*
第11页29
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