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CY62167EV30的MoBL
文档历史记录页
文档标题： CY62167EV30的MoBL
16兆位（ 1M ×16 / 2M ×8 ）静态RAM
文件编号： 38-05446
启示录
**
*A
ECN号
202600
463674
原稿。的
变化
AJU
NXR
服从
日期
01/23/2004
见ECN
变化的说明
新的数据表
转换从超前信息初步
从提供的产品中删除'L' bin和35纳秒的速度斌
修改后的数据表，包括X8配置性。
改变的E3球FBGA封装中的引脚从DNU数控
改变了我
SB2(Typ)
从1.3的值
μA
1.5
μA
改变了我
CC（ MAX）的
值40 mA至25毫安
脚注＃ 9 Vcc的变化稳定时间从100
s
200
s
改变交流测试负载电容值从50 pF到30 pF的
在数据保持特性纠正错字（T
R
） 100
s
给T
RC
ns
改变的吨
OHA
, t
LZCE
, t
LZBE
和叔
LZWE
从6 ns至10 ns的
改变的吨
LZOE
从3 ns至5纳秒。
改变的吨
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
从15 ns至18 ns的
改变的吨
SCE
, t
AW
和叔
BW
从40 ns至35 ns的
改变的吨
PE
从30 ns至35 ns的
改变的吨
SD
从20 ns至25 ns的
更新了48球FBGA封装方式。
更新了订购信息表
微小的变化：移动到外部Web
从初步转化为最终
改变了我
CC
最大规格从2.8 mA至4.0毫安为F = 1MHz的
改变了我
CC
典型值规格在22 mA到25毫安对于f = F
最大
改变了我
CC
最大规格为25 mA至30毫安对于f = F
最大
加V
IL
规格为TSOP封装我和脚注＃ 9
添加脚注＃ 10与I
SB2
我
CCDR
改变了我
SB1
我
SB2
从8.5规格
μA
12
μA
改变了我
CCDR
从8规格
μA
10
μA
添加脚注＃ 15与AC时序参数
我修改
CCDR
规格为TSOP封装我
添加了48球VFBGA （ 6 ×7×仅1mm）封装
添加脚注＃ 1与VFBGA （ 6 ×7×仅1mm）封装
更新订购信息表
新增汽车-A的信息
包括-45BVXA参加了订货信息表
我修改
CCDR
从8规格
μA
10
μA
对于自动A级。
额外
目录。
更新了所有的包图。
在更新链接
销售，解决方案和法律信息。
添加脚注＃ 25到芯片使能相关。
更新的模板。
包括BHE和BLE的我
SB1
, I
SB2
和我
CCDR
测试条件，以反映字节
断电功能。
除去48球VFBGA （ 6 ×7× 1毫米）封装相关的信息。
新增缩略语和订货代码定义。
格式更新以匹配模板。
*B
*C
469169
1130323
NSI
VKN
见ECN
见ECN
*D
1323984
VKN / AESA
见ECN
*E
*F
*G
2678799
2720234
2880574
VKN / PYRS
VKN / AESA
VKN
03/25/2009
06/17/2009
02/18/2010
*H
*I
2934396
3006301
VKN
RAME
06/03/10
08/12/2010
文件编号： 38-05446牧师* I
第15页16
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