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CY62167EV30的MoBL
16兆位（ 1M ×16 / 2M ×8 ）静态RAM
16兆位（ 1M ×16 / 2M ×8 ）静态RAM
特点
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TSOP封装我配置为1M × 16或2M ×8 SRAM
超高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
超低待机功耗
典型待机电流： 1.5
μA
最大待机电流： 12
μA
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA和48引脚TSOP封装我
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更多的电池Life （的MoBL
）在便携式应用中，如
蜂窝电话。该器件还具有一个自动功率
下来的功能，功耗降低99％
当地址不切换。将设备置于待机
取消选择模式时（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和
BLE是HIGH ） 。的输入和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
)
被置于高阻抗状态时：所述设备是
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作正在进行（ CE
1
低，
CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
）是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从我的数据输入/输出
引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
“真值表”
on
第11页的读写模式的完整描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统设计指南。
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功能说明
该CY62167EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为1M字（16位）或2M字由8位。这
设备采用了先进的电路设计，提供超
低工作电流。超低工作电流，非常适合提供
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据驱动因素
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
CE
2
字节
BHE
WE
OE
BLE
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05446牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年8月13日
[+ ]反馈
