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CY62126EV30的MoBL
开关波形
（续）
图7.写周期第1号
（我们控制）
[19, 20, 21]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
BHE / BLE
t
BW
OE
注22
t
HZOE
t
SD
数据
IN
t
HD
数据I / O
图8.写周期2号
（ CE控制）
[
19
, 20, 21]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
AW
t
PWE
t
HA
BHE / BLE
t
BW
OE
t
SD
数据I / O
注22
t
HZOE
数据
IN
t
HD
笔记
19.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ， BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何的
这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入建立和保持时间必须参考信号终止写的边缘。
20.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
21.如果CE同时变为高电平与WE = V
IH
时，输出保持在高阻抗状态。
22.在此期间， I / O是在输出状态。不适用的输入信号。
文件编号： 38-05486牧师* H
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