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CY62147EV30的MoBL
汽车4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
■
温度范围
汽车-A ： -40°C至+85°C
汽车-E ： -40°C至+125°C
■
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
■
引脚兼容CY62147DV30
■
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 7
A
（汽车-A ）
■
超低有功功率
典型工作电流： 2毫安（汽车-A ），在f = 1 MHz的
[1]
■
易内存扩展与CE
和OE特点
■
■
■
■
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消当超过99 ％的消费（ CE
高或都BLE和BHE是HIGH ） 。的输入和输出引脚
（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅48球非常精细球栅阵列（ VFBGA ）
（单/双CE选项）和44引脚薄型小尺寸封装
（ TSOP ）二包
字节掉电功能
■
功能说明
该CY62147EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
（SRAM）由16位组织成256K字。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。它非常适用于提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第10页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
[1]
CE
OE
BLE
掉电
电路
CE
A
12
A
11
A
13
A
15
记
1. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合
1
和
CE
2
这样，当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。
A
16
A
17
A
14
BHE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-66256修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月31日
[+ ]反馈
