CY23EP09
绝对最大条件
电源电压为地电位.................- 0.5 V至4.6 V
直流输入电压..................................... V
SS
- 0.5 V至4.6 V
存储温度................................... -65℃ 150℃
结温................................................ .. 150℃
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ............................. > 2000伏
民
3.0
2.3
0
–40
–
–
–
–
–
–
–
–
1–1.5
0.8
29
41
37
41
0.01
95
70
58
48
50
最大
3.6
2.7
70
85
30
30
22
22
15
15
15
5
单位
V
V
°C
°C
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
兆赫
兆赫
ms
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
工作条件
参数
V
DD3.3
V
DD2.5
T
A
C
L[5]
3.3 V电源电压
2.5 V电源电压
工作温度（环境温度） - 商用
工作温度（环境温度） - 工业
负载电容， <100兆赫， 3.3 V
负载电容， <100兆赫， 2.5 V高驱动器
负载电容， <133.3兆赫， 3.3 V
负载电容， <133.3兆赫， 2.5 V高驱动器
负载电容， <133.3兆赫， 2.5 V与标准驱动器
负载电容， >133.3兆赫， 3.3 V
负载电容， >133.3兆赫， 2.5 V高驱动器
C
IN
BW
R
OUT
输入电容
[6]
闭环带宽（典型值） ， 3.3 V
闭环带宽（典型值） ， 2.5 V
输出阻抗（典型值） ， 3.3 V高驱动器
输出阻抗（典型值） ， 3.3 V标准的驱动器
输出阻抗（典型值） ， 2.5 V高驱动器
输出阻抗（典型值） ， 2.5 V标准的驱动器
t
PU
的Theta JA
[7]
西塔JC
[7]
上电时所有VDD的达到指定的最低电压
（功率坡道必须是单调）
耗散，结到环境， 16引脚SOIC
耗散，结到环境，采用16引脚TSSOP
耗散，结到外壳， 16引脚SOIC
耗散，结到外壳，采用16引脚TSSOP
描述
3.3 V直流电气规格
参数
V
DD
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
I
DD
（ PD模式）
I
DD
描述
电源电压
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
掉电电源电流
电源电流
0℃， V
IN
＆ LT ; V
IL
V
IN
= V
DD
I
OL
= 8毫安（标准驱动器）
I
OL
= 12 MA（高驱动器）
I
OH
= -8毫安（标准驱动器）
I
OH
= -12毫安（高驱动器）
REF = 0兆赫（商业）
REF = 0兆赫（工业）
空载输出， 66 - MHz的REF
笔记
5.适用于测试电路＃ 1 。
6.同时适用于参考时钟和CLKOUT内部反馈路径。
7.西塔JA， EIA JEDEC 51测试板条件， 2S2P ;西塔的Jc军规883E方法1012.1 。
测试条件
民
3.0
–
2.0
–
–
–
–
2.4
2.4
–
–
–
最大
3.6
0.8
V
DD
+0.3
±10
100
0.4
0.4
–
–
12
25
30
单位
V
V
V
A
A
V
V
V
V
A
A
mA
文件编号： 38-07760牧师* C
第17页5
[+ ]反馈
