Si7439DP
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道150 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
150
150
特点
I
D
(A)
5.2
5.0
r
DS （ ON）
(W)
0.090 @ V
GS
=
10
V
0.095 @ V
GS
=
6
V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
超低导通电阻为关键应用
D
低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
和雪崩测试
应用
D
在中间的DC / DC电源有源钳位
耗材
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
S
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
底部视图
订购信息： Si7439DP -T1 -E3
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
150
"20
单位
V
5.2
4.1
50
4.2
40
80
5.4
3.4
55
150
3.0
2.4
A
1.6
mJ
1.9
1.2
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
文档编号： 73106
S- 41526 -REV 。 A， 16 - 8 - 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
C / W
1
