Si7439DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.15
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
6000
5000
C
电容（pF）
4000
3000
2000
1000
0
C
RSS
0
30
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
C
国际空间站
0.09
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.06
0.03
C
OSS
0.00
0
10
20
30
40
50
60
90
120
150
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 75 V
I
D
= 5.2 A
栅极电荷
2.2
1.9
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.2 A
8
6
4
2
0
0
15
30
45
60
75
90
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
0.12
I
D
= 5.2 A
0.08
1
T
J
= 25_C
0.04
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73106
S- 41526 -REV 。 A， 16 - 8 - 04
www.vishay.com
3
