Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1.0
V
GS
= 5
V
通1.8
V
0.8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（mA ）
1200
T
C
= - 55 °C
1000
25 °C
800
125 °C
600
0.6
0.4
400
0.2
1
V
0.0
0.0
200
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
4.0
100
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
3.2
- 电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
2.4
1.6
V
GS
= 1.8
V
0.8
V
GS
= 2.5
V
V
GS
= 4.5
V
0.0
0
200
400
600
800
1000
40
C
OSS
20
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
= 10
V
I
D
= 250毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.40
1.60
电容
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 600毫安
3
1.20
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 350毫安
1.00
2
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
www.vishay.com
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