Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
N沟道1.8 V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
0.70在V
GS
= 4.5 V
20
0.85在V
GS
= 2.5 V
1.25在V
GS
= 1.8 V
I
D
（MA ）
600
500
350
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.8 V额定
门源ESD保护： 2000 V
高侧开关
低导通电阻： 0.7
低阈值： 0.8 V（典型值）。
开关速度快： 10纳秒
符合RoHS指令2002/95 / EC
SC- 75A或SC -89
G
1
应用
3
D
S
2
顶部
意见
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
好处
订购信息
产品型号
Si1012R -T1- GE3 （铅（Pb ） - 免费
和无卤素）
Si1012X -T1- GE3 （铅（Pb ） - 免费
和无卤素）
包
SC-75A
(SOT-416)
SC-89
(SOT-490)
记号
CODE
C
A
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
b
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
最大功率耗散
b
为SC- 75
最大功率耗散
b
为SC- 89
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
J
, T
英镑
ESD
P
D
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
275
175
90
275
160
- 55 150
2000
600
400
1000
250
150
80
250
140
°C
V
mW
5s
20
±6
500
350
mA
稳定状态
单位
V
文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
www.vishay.com
1
