Si1972DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.4
1.4
1.2
Po
w
呃耗散（
W
)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
2.0
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
1.6
包装有限公司
1.2
0.8
0.4
0.0
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 74398
S10-0721 -REV 。 B， 29 -MAR- 10
www.vishay.com
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