Si1972DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
4
V
GS
= 10
V
直通5
V
0.8
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
3
T
C
= 125 °C
0.6
1.0
2
4
V
1
0.4
T
C
= 25 °C
T
C
= - 55 °C
0.2
3
V
0
0.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.6
100
传输特性
0.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 4.5
V
0.4
- 电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
0.3
40
C
OSS
0.2
V
GS
= 10
V
0.1
20
C
RSS
0
0
1
2
I
D
- 漏电流（ A）
3
4
0
5
10
0.0
15
20
25
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 1.3 A
V
GS
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.6
1.8
电容
V
GS
= 10
V
和4.5
V,
I
D
= 1.3 A
1.4
(
N
ormalized ）
6
V
DS
= 15
V
4
V
DS
= 24
V
1.2
1.0
2
0.8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 74398
S10-0721 -REV 。 B， 29 -MAR- 10
导通电阻与结温
www.vishay.com
3
