CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT18N20
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
=额定V
DSS
, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 0.8Rated V
DSS
, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 10A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 5.0 A)
正向跨导（V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 4.7) *
(V
DS
= 0.8Rated V
DSS
, I
D
=额定我
D
,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
0.025
1.0
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
36
16
26
4.5
7.5
6.8
1600
750
300
30
60
80
60
63
2.0
100
100
4.0
0.18
6.0
nA
nA
V
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
民
200
典型值
最大
单位
V
mA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
=额定我
D
,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
450
1.5
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
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