添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第703页 > CMT18N20
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这是功率MOSFET专为低电压，高
高速功率开关应用，如开关
稳压器，转换器，电磁阀和继电器驱动器。
!
!
特点
!
!
硅栅的快速开关速度
低R
DS （ ON）
尽量减少对-损失。规定在高温
温度
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极特点是用感性
负载
引脚配置
TO-220
符号
前视图
D
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT18N20N220
包
TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 18A ，L = 1.38mH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（1）脉冲宽度和频率由TJ （ max）和热响应不限
θ
JC
θ
JA
T
L
1.00
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
18
72
±20
±40
125
1.00
-55到150
224
V
V
W
W/℃
℃
mJ
单位
A
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第1页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT18N20
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
=额定V
DSS
, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 0.8Rated V
DSS
, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 10A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 5.0 A)
正向跨导（V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 4.7) *
(V
DS
= 0.8Rated V
DSS
, I
D
=额定我
D
,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
0.025
1.0
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
36
16
26
4.5
7.5
6.8
1600
750
300
30
60
80
60
63
2.0
100
100
4.0
0.18
6.0
nA
nA
V
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
民
200
典型值
最大
单位
V
mA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
=额定我
D
,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
450
1.5
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第2页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
典型电气特性
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第3页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第4页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第5页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这是功率MOSFET专为低电压，高
高速功率开关应用，如开关
稳压器，转换器，电磁阀和继电器驱动器。
!
!
特点
!
!
硅栅的快速开关速度
低R
DS （ ON）
尽量减少对-损失。规定在高温
温度
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极特点是用感性
负载
引脚配置
TO-220
符号
前视图
D
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT18N20N220
包
TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 18A ，L = 1.38mH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（1）脉冲宽度和频率由TJ （ max）和热响应不限
θ
JC
θ
JA
T
L
1.00
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
18
72
±20
±40
125
1.00
-55到150
224
V
V
W
W/℃
℃
mJ
单位
A
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第1页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT18N20
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
=额定V
DSS
, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 0.8Rated V
DSS
, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 10A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 5.0 A)
正向跨导（V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 4.7) *
(V
DS
= 0.8Rated V
DSS
, I
D
=额定我
D
,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
0.025
1.0
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
36
16
26
4.5
7.5
6.8
1600
750
300
30
60
80
60
63
2.0
100
100
4.0
0.18
6.0
nA
nA
V
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
民
200
典型值
最大
单位
V
mA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
=额定我
D
,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
450
1.5
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第2页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
典型电气特性
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第3页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第4页
CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
第5页
查看更多CMT18N20PDF信息
推荐型号
CML5A3CT8R
C052K102K1X5CM
CHA5297-99F/00
C052T102K2X5CA
CKRA2430EP
C2012X7R1E475K125AE
CQM1-AD041
CC1812JK9
CTB08-800TW
C0240QGLA-T
CM3132-02SH
CY14B101NA-ZS25XIT
CAT24WC01J-1.8TE13C
CDBC580-G
CDEP145-3R6MC
CMPD6001S
CD54AC646H
CD4514BMG4
CDR105NP-680MB
CMD41G31A-20.000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CMT18N20
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CMT18N20
CET
21+
15360
TO-
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CMT18N20
CET
21+
15360
TO-
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CMT18N20
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10327
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CMT18N20
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9942
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多CMT18N20供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！