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CMT04N60
功率MOSFET
订购信息
产品型号
CMT04N60GN220*
CMT04N60XN220*
CMT04N60GN220FP*
CMT04N60XN220FP*
CMT04N60GN252*
包
TO-220
TO-220
TO- 220封装完整
TO- 220封装完整
TO-252
CMT04N60XN252*
TO-252
*注意：
G：后缀为无铅产品
X：后缀为卤素和无铅产品
电气特性
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
=600 V, V
GS
= 0 V)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 30 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= - 30 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
（除非另有规定，T
J
= 25℃.)
CMT04N60
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
1
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
2.5
540
125
8.0
12
7.0
19
10
5.0
2.7
2.0
4.5
7.5
760
180
20
20
10
40
20
10
2.0
100
100
4.0
2.2
nA
nA
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
民
600
典型值
最大
单位
V
uA
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0A) *
正向跨导（V
DS
= 50 V，I
D
= 2.0 A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感（从源测量导致0.25 “，从
包源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
= 4.0 A,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 9.1) *
(V
DS
= 480 V，I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 10 V)*
V
SD
t
on
t
rr
**
655
1.5
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2011/03/23
REV 。 1.5
冠军微电子公司
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