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CMT04N60
功率MOSFET
概述
这种先进的高电压MOSFET的设计
在雪崩模式和开关承受高能量
有效的。这种新的高能器件还提供了一个
漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计
高电压，高速开关应用如
电源，转换器，功率电机控制和
电桥电路。
特点
更高的额定电流
低RDS （ ON）
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的VSD技术指标
较高的雪崩能量
引脚配置
TO-220/TO-220FP
TO-252
符号
D
前视图
前视图
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
TO-220
TO-220FP
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 4A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
1.30
100
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
83
30
-55到150
80
℃
mJ
价值
4.0
14
±30
±40
V
V
W
单位
A
2011/03/23
REV 。 1.5
冠军微电子公司
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