
CA3054
典型性能曲线
共模抑制比(分贝)
V
CC
= 12V
110
V
EE
= -6V
F = 1kHz时
(续)
100
单级电压增益(dB )
75
50
25
0
-25
-50
V
CC
= 12V
V
EE
= -6V
F = 1kHz时
信号输入= 10mV的
RMS
100
90
80
0
-1
-2
-3
偏置电压端子11 ( V)
-4
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
偏置电压端子11 ( V)
图10.共模抑制比
特征
100
双级电压增益(dB )
V
CC
= 12V
V
EE
= -6V
F = 1kHz时
信号输入= 1mV的
RMS
图11.单级电压增益特性
100
归一化h参数值
V
CB
= 3V
F = 1kHz时
T
A
= 25
o
C
h
IE
10
h
RE
h
FE
= 110
h
IE
= 3.5k
h
RE
= 1.88 x 10
-4
h
OE
= 15.6S
h
OE
75
AT
1mA
50
25
0
1.0
h
FE
-25
h
RE
0.1
0.01
h
IE
0.1
1.0
集电极电流(毫安)
10
-50
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
偏置电压端子3和11 ( V)
-7
图12.双级电压增益特性
图13.正向电流传输比(H
FE
),
短路输入阻抗(H
IE
) , OPEN
电路的输出阻抗(H
OE
)和Open
电路反向电压传输比
(h
RE
)与集电极电流FOR EACH
晶体管
30
正向传递纳
或电导(MS )
差分配置
I
C
(每个晶体管)
1.25mA
V
CB
= 3V
T
A
= 25
o
C
增益带宽积(兆赫)
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V
CB
= 3V
T
A
= 25
o
C
20
10
b
21
0
-10
g
21
-20
0.1
1.0
10
频率(MHz)
100
1
2
3
4 5 6 7 8 9 10 11
集电极电流(毫安)
12 13 14
图14.增益带宽积(F
T
)与集热器
当前
图15.正向转移导纳(Y
21
) VS
频率
6