CA3054
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
130
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
140
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压，V
CIO
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. CA3054的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板必须连接到一个电压
这比任何集电极电压更负，以保持晶体管之间的隔离，并提供正常的晶体管动作。该
衬底应保持在信号（AC）地通过合适的接地电容器的装置，以避免晶体管之间的不希望有的耦合。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
最高额定电压
下面的图表给出了可以应用到相对于垂直列出的termi-端子电压的范围
的NAL水平列出。例如，垂直2号航站楼相对于4号航站楼的电压范围为+ 15V至-5V 。
（注4 ）
TERM
号
13
13
14
1
2
3
4
6
7
8
9
11
12
5
最大
电流额定值
（注4 ）
TERM
I
IN
号
mA
13
14
1
2
3
4
6
7
8
9
11
12
5
50
50
5
5
0.1
5
50
50
5
5
0.1
I
OUT
mA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
50
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
50
14
0, -20
1
注3
2
+5, -5
3
4
6
7
8
9
11
12
注3
注3
注3
注3
注3
注3
注3
注3
-1, -5
5
注3
+20, 0
+20, 0
注3
注3
注3
+20, 0
+20, 0
注3
注3
REF 。
SUB -
施特拉特
注3 + 15， -5注3注3注3注3注3
注3注3注3 20 0注3注3注3注3注3
20 ， 0注3 20 0注3注3注3注3注3
注3 + 15， -5注3注3注3注3注3
+1, -5
注3注3注3注3注3
注3注3注3注3注3
0, -20
注3
+5, -5
注3注3注3
20 ， 0注3
注3 + 15， -5注3
注3 + 15， -5注3
注意事项：
3.电压通常不被这些端子之间。这些端子之间出现的电压将是安全的
如果所有其他终端之间的界限规定不超过。
4. CA3054的端子编号10不被使用。
电气连接特定的阳离子
参数
DC特性
T
A
= 25
o
C
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
每个差分放大器
V
IO
I
IO
I
I
I C （ Q1 ）
I C （ Q5 ）
-----------------
or
-----------------
-
-
I C （ Q2 ）
I C （ Q6 ）
V
IO
----------------
-
T
V
CB
= 3V ，我
E(Q3)
= I
E(Q4)
= 2毫安
V
CB
= 3V ，我
E(Q3)
= I
E(Q4)
= 2毫安
V
CB
= 3V ，我
E(Q3)
= I
E(Q4)
= 2毫安
V
CB
= 3V ，我
E(Q3)
= I
E(Q4)
= 2毫安
-
-
-
-
0.45
0.3
10
0.98
1.02
1.1
5
2
24
-
mV
A
A
-
输入失调电压（图8 ）
输入失调电流（图9 ）
输入偏置电流（图5 ）
静态工作电流比
（图5）
温度系数幅度
输入失调电压（图7 ）
V
CB
= 3V ，我
E(Q3)
= I
E(Q4)
= 2毫安
-
-
V/
o
C
2
