位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第755页 > C3225X5R1A476M > C3225X5R1A476M PDF资料 > C3225X5R1A476M PDF资料1第20页
ADP5061
热管理
等温充电
该
ADP5061
包括热反馈回路，限制
充电电流，当芯片温度超过T
LIM
（一般
115 ℃）。由于芯片的功耗和模具温度
增大，充电电流可自动降低到维持
模具温度在推荐范围内。作为芯片
温度适当降低芯片的功耗减小
或环境温度下，向亲充电电流返回
编程水平。在等温充电时， THERM_LIM
I
2
C标志位被设置为高。
此热反馈控制环路，用户可以设置
根据典型的，而不是最糟糕的编程充电电流
情况的条件。
该
ADP5061
不包括热反馈回路，以限制
ISO_Sx负载电流的LDO模式。如果电源消退
在LDO模式下芯片会导致芯片温度超过
130 ℃时，会产生一个中断。如果模具温度
继续上升超过140℃ ，该器件进入热
关机。
数据表
电池隔离FET
该
ADP5061
充电器，具有集成的电池隔离
FET的电源通路控制。电池隔离FET一个隔离
深度放电的锂离子电池从系统电源
的慢速和快速充电模式，从而允许系统
在任何时候都被供电。
当VINx低于V
VIN_OK
，电池隔离FET的全
在进行模式。
在涓流充电模式下，电池隔离FET关断。
当电池电压超过V
TRK
时，电池隔离
FET开关对系统电压调节方式。中
系统电压调节模式中，电池隔离FET
保持V
ISO_SFC
电压上ISO_Sx引脚。当
电池电压超过V
ISO_SFC
，电池隔离FET是
全导通模式。
电池隔离FET的补充电池支持
高电流功能对系统电源。当
电压上ISO_Sx低于ISO_Bx ，电池隔离
FET进入完全导通模式。当电压ISO_Sx
上升到高于ISO_Bx ，隔离FET进入调节模式或
全导通模式，根据不同的锂离子电池的电压和
线性充电模式。
热关断和热预警
该
ADP5061
充电器具有热关断阈值
探测器。如果芯片温度超过T
SD
中，
ADP5061
充电器被禁用，并且在TSD 140℃的位被置位。该
ADP5061
充电器可以在下面的管芯温度下降重新启用
经t
SD
掉落限制和TSD 140 ° C位复位。要重置
TSD 140 ° C位，写信给我
2
故障寄存器0x0D或周期
力。
在管芯温度达到T
SD
，预警位被置位，如果
T
SDL
被超过。这使得系统能够适应电力
热关断前的消费发生。
电池检测
电池电压检测
该
ADP5061
充电器设有一个电池检测机制
检测到没有电池。充电器积极汇和源
当前进ISO_Bx / BAT_SNS节点，并且电压与时间的关系是
检测到。信宿相位用来检测充电的电池，
而源相位用来检测放电的电池。
信宿相（参见图30）下沉我
SINK
从当前
ISO_Bx / BAT_SNS引脚的时间段，叔
吉巴督
。如果
BAT_SNS引脚低于V
BATL
当T
吉巴督
定时器超时后，
充电器不承担任何电池存在，并启动源的相位。
如果BAT_SNS超过V
BATL
电压时吨
吉巴督
定时器
到期时，充电器假定电池存在并开始一个
新的充电周期。
源相源我
来源
电流ISO_Bx和
BAT_SNS引脚的时间段，叔
吉巴督
。如果BAT_SNS销超过
V
浴
的T之前
吉巴督
计时器到期，则充电器假定
没有电池存在。如果BAT_SNS不超过V
浴
电压时吨
吉巴督
计时器到期，则充电器假定一个
电池存在并开始一个新的充电周期。
故障恢复
之前执行以下操作中，重要的是要
确保故障原因已经解决。
从充电器故障恢复（当CHARGER_STATUS =
110 ）上VINx ，循环发电或写为高，重置我
2
故障
位中的故障寄存器。
第0版|第20页44
