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ADP5061
E3
数据表
VIN1
高压
闭塞
LDO -FET
ISO_S1
D3
TO USB VBUS
或墙壁
适配器
D3
VIN2
ISO_S2
系统
负载
E3
C3
VIN3
6.85V
+
–
LDO -FET
控制
VIN LIMIT
ISO_S3
+
–
C3
VIN
过压
CBP
B3
电池
隔离FET
+
3.9V
滴流
当前
来源
3MHz的OSC
ISO_B1
E1
–
VIN GOOD
+
–
EOC
ISO_B2
D1
A4
A3
SCL
充电控制
SDA
I
2
C接口
和
控制逻辑
+
–
CV -MODE
充值
ISO_B3
C1
E4
C4
B4
DIG_IO1
DIG_IO2
DIG_IO3
+
–
弱
电池
发现
SINK
+
–
电池：
开放
短
滴流
+
–
BAT_SNS
3.4V
D4
A2
SYS_EN
1.9V
电池检测
+
SYS_EN输出
逻辑
–
+
–
VIN - 150mV的
电池过压
A1
TSD 140℃
警告130℃
等温115℃
TSD下110℃
ILED
ILED输出
逻辑
冷
COOL
温暖
热
THR
0.5V
NTC电流
控制
AGND
热控
B1
NTC
单身
CELL
锂离子电池
图29.框图
第0版|第16页44
10544-029
+
–
B2
