位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第954页 > SI4500BDY-T1-GE3 > SI4500BDY-T1-GE3 PDF资料 > SI4500BDY-T1-GE3 PDF资料6第1页
Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
互补MOSFET半桥（ N和P通道）
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
P沟道
20
- 20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.020在V
GS
= 4.5 V
0.030在V
GS
= 2.5 V
0.060在V
GS
= - 4.5 V
0.100在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
9.1
7.5
- 5.3
- 4.1
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si4500BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4500BDY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
D
G
2
S
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
2.1
2.5
1.6
9.1
7.3
30
1.1
1.3
0.8
- 2.1
2.5
1.6
- 55 150
10 s
稳定状态
20
± 12
6.6
5.3
- 5.3
- 4.9
- 20
- 1.1
1.3
0.8
W
°C
10 s
P沟道
稳定状态
- 20
± 12
- 3.8
- 3.1
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
N沟道
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
≤
10 s.
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
40
75
20
马克斯。
50
95
22
41
75
23
P沟道
典型值。
马克斯。
50
95
26
° C / W
单位
文档编号： 72281
S09-0705 -REV 。 D， 27 -APR- 09
www.vishay.com
1
