Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
30
V
GS
= 5 V直通3 V
2.5 V
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
25
25 ℃，除非另有说明
30
20
20
15
2V
10
15
10
T
C
= 125
°C
5
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
5
25
°C
- 55
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.08
0.07
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1600
1400
传输特性
C
国际空间站
- 电容（pF ）
1200
1000
800
600
C
OSS
400
200
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 9.1 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 9.1 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 72281
S09-0705 -REV 。 D， 27 -APR- 09
www.vishay.com
3
