AN806
Vishay Siliconix公司
安装LITTLE FOOT
R
TSSOP - 8功率MOSFET
沃顿商学院的丹尼尔
表面安装LITTLE FOOT功率MOSFET使用集成
已经被修改，电路和小信号的包
以提供由功率器件所需的传热能力。
引线框架材料和设计，模塑料和模具
附加材料已被改变，而在覆盖区
包保持相同。
请参考应用笔记826 ，
推荐最小焊盘
图案随着日前，Vishay Siliconix的外形图访问
MOSFET ，
（ http://www.vishay.com/doc?72286 ） ，用于依据
的焊盘设计的小脚TSSOP - 8的功率MOSFET
封装尺寸。在覆盖区转换到焊盘组的
功率器件，设计人员必须使两个连接：一个电
连接和热连接，以从吸取热量带走
封装。
该垫图案与铜扩散为单MOSFET
TSSOP- 8 （图1）和双MOSFET的TSSOP- 8 （图2）
显示的起点使用的电路板面积可用于
热扩散铜。为了创建这个模式中，铜的平面
覆盖漏极引脚。铜平面连接的漏引脚
电性，但更重要的是提供平坦的铜画
从漏热导致，并开始传播的过程
热，所以它可以被消散到周围空气中。这些模式
使用所有的可用区域中的身体下方用于此目的。
0.284
7.6
0.032
0.8
0.026
0.66
0.122
3.1
0.018
0.45
0.073
1.78
0.091
1.65
在TSSOP -8封装的情况下，其热连接
很简单。引脚1,5 ，和8是MOSFET的漏极
对于单个MOSFET封装和连接在一起。在
双包，销1和图8是两个下水道。对于
小信号器件或集成电路，典型的连接
将与痕迹是0.020英寸广泛进行。自
漏极引脚还提供了热连接
包，连接的这个水平是不充分的。总
铜的横截面可以是足够的承载
当前所需要的应用，但它提出了一个大
热阻抗。另外，热循环方式传播
从热源。在这种情况下，漏极引脚是热
当在印刷电路板的热扩散寻找资源。
图2中。
双MOSFET TSSOP - 8端口模式与
铜传播
因为表面安装包是小的，并且回流焊接
是在其中这些固定到PC中的最常用的方法
板，从平面铜“热”连接到焊盘
还没有被使用。即使额外的平面铜区时，
应在焊接过程中没有问题。实际
焊料连接由焊料掩模开口限定。通过
在排水相结合的基本足迹与铜面
销，会自动出现在阻焊层的产生。
0.284
7.6
0.032
0.8
0.026
0.66
0.018
0.45
0.073
1.78
0.118
3.54
0.122
3.1
最后一个项目要记住的是电源走线的宽度。该
绝对最低功率走线宽度必须由确定
电流的量具有携带。对于热的原因，这
最小宽度应该至少0.020英寸。使用宽
连接到漏极平面迹线提供了一个低阻抗
摆脱了设备路径的热量。
图1 。
单个MOSFET TSSOP- 8垫
图案铜传播
文档编号： 70738
17-Dec-03
www.vishay.com
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