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新产品
Si7272DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
100
0.030
I
D
= 15 A
0.025
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
I
S
- 源电流( A)
0.020
T
J
= 150 °C
10
0.015
T
J
= 125 °C
0.010
T
J
= 25 °C
0.005
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
2.4
2.2
32
2.0
功率(W)的
I
D
= 250
A
V
GS ( TH)
(V)
1.8
1.6
1.4
8
1.2
1.0
- 50
24
40
导通电阻与栅极至源极电压
16
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间(s)
10
100
1000
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
100
有限
by
R
DS ( ON)
*
100
s
10
I
D
- 漏电流( A)
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
10 s
1s
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
DC
单脉冲功率
0.1
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
R
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结到环境
www.vishay.com
4
文档编号: 69026
S09-0269 -REV 。 B, 16 -FEB -09

深圳市碧威特网络技术有限公司