新产品
Si7272DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
20
50
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10
V
直通4
V
40
16
12
T
C
= 25 °C
8
30
20
V
GS
= 3
V
10
4
T
C
= 125 °C
0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.013
1500
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1200
0.011
V
GS
= 4.5
V
- 电容（pF ）
900
C
国际空间站
0.009
V
GS
= 10
V
0.007
600
C
OSS
300
C
RSS
0.005
0
10
20
30
40
50
60
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
I
D
- 漏电流（ A）
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 15 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 15
V
6
V
DS
= 24
V
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.6
1.8
I
D
= 15 A
电容
1.4
（归一化）
1.2
1.0
2
0.8
V
GS
= 4.5
V,
10
V
0
0
3
6
9
12
15
18
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 69026
S09-0269 -REV 。 B， 16 -FEB -09
www.vishay.com
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