新产品
Si7794DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.015
I
D
= 20 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
1
T
J
= 25 °C
0.012
0.009
0.1
0.006
T
J
= 125
°C
0.003
T
J
= 25
°C
0.01
0.001
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
源极 - 漏极二极管正向电压
10
-1
200
导通电阻与栅极至源极电压
10
-2
I
R
- 反向（ A）
160
10
V
10
-4
20
V
功率（W）的
10
-3
30
V
120
80
10
-5
40
10
-6
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
反向电流（肖特基）
100
I
DM
有限
I
D
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10毫秒
1
限于由R
DS （ ON）
*
100毫秒
1s
10 s
0.1
T
C
= 25
°C
单脉冲
BVDSS有限公司
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 67692
S11-1150 -REV 。 A， 13军11
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
