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新产品
Si7794DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
80
V
GS
= 10 V直通3 V
10
64
I
D
- 漏电流（ A）
8
I
D
- 漏电流（ A）
48
6
T
C
= 25
°C
4
32
16
V
GS
= 2 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
2
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
输出特性
0.0040
3200
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.0036
V
GS
= 4.5 V
0.0032
- 电容（pF ）
2560
C
国际空间站
1920
0.0028
V
GS
= 10 V
1280
C
OSS
640
C
RSS
0.0024
0.0020
0
16
32
48
I
D
- 漏电流（ A）
64
80
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 10 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电容
1.8
I
D
= 20 A
1.6
V
GS
= 10 V
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.2
8
6
V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 15 V
2
V
DS
= 20 V
1.0
0.8
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 67692
S11-1150 -REV 。 A， 13军11
www.vishay.com
3
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