BZX85-Series

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威世半导体

mA

240

200

I

Z

160

120

80

40

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

V

Z

图。 7 -

击穿特性

3V9

4V7

5V6

6V8

8V2

10

12

T

j

= 25 °C

10 11 12 13 14 15

V

18456

mA

60

50

I

Z

40

33

15

18

22

27

T

j

= 25 °C

30

20

10

0

0

5

10

15

20

25

30

V

Z

图。 8 -

击穿特性

39

47

35

40

45 50

V

18457

包装尺寸

以毫米（英寸）：

DO-41

阴极鉴定

0.86（ 0.034 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

4.1 （ 0.161 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

94 9368

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

5

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2.6 （ 0.102 ）最大。