
BZX85-Series
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
° C / W
10
3
5
4
3
2
威世半导体
° C / W
200
r
THA
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
THA
100
马克斯。
典型值。
10
5
4
3
2
t
P
v
=
T
P
___
t
T
P
I
1
10
-5
0
10
-1
t
P
1
10 s
18458
10
-4
10
-3
10
-2
0
10
20
导线长度
30 mm
18461
图。 1 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
图。 4 -
热敏电阻与导线长度
Ω
10
3
7
5
4
W
2
r
zj
3
2
P
合计
56
10
2
7
5
4
3
2
43
1
10
0.1
0
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
18459
0
100
T
AMB
200 °C
18462
I
Z
图。 2 -
动态电阻与齐纳电流
图。 5 -
受理的功耗与环境温度
Ω
100
7
5
4
3
2
Ω
10
3
5
4
3
2
r
zj
r
zj
43
36
30
24
22
18
10
2
5
4
3
2
5V1
4V3
18
12
10
7
5
4
3
2
10
5
4
3
2
6V2
10
7V5
1
1
1
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
18460
1
2
3 4 5 7
10
2
3 4 5
7
百毫安
I
Z
I
Z
18463
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
动态电阻与齐纳电流
2.1版, 22 -NOV- 11
文档编号: 85607
4
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