INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUT211X
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
400
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
2.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
1.3
1.0
2.0
10
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 850V; V
BE
= 0
V
CE
= 850V; V
BE
= 0; T
j
= 125℃
V
EB
= 9V ;我
C
= 0
mA
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 2V
13
30
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
7.5
开关时间;阻性负载
μs
μs
t
s
t
f
贮存时间
I
C
= 3A ;我
B1
= 0.3A ;我
B2
= -0.6A
下降时间
2.0
0.8
h
FE-1
分类
1
13-20
2
18-25
3
23-30
ISC的网站： www.iscsemi.cn
