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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUT211X
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小）。
高
高速开关
应用
·设计
高频电子照明镇流器
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
850
单位
V
400
9
V
V
5
A
10
2
4
32
150
-65~150
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
3.95
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUT211X
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
400
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
2.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
1.3
1.0
2.0
10
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 850V; V
BE
= 0
V
CE
= 850V; V
BE
= 0; T
j
= 125℃
V
EB
= 9V ;我
C
= 0
mA
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
开关时间;阻性负载
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
h
FE-1
分类
1
13-20
2
18-25
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 2V
13
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
7.5
I
C
= 3A ;我
B1
= 0.3A ;我
B2
= -0.6A
30
2.0
μs
μs
0.8
3
23-30
ISC的网站： www.iscsemi.cn
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT211X
概述
增强的性能，新的一代，在一个塑料全包信封高速开关晶体管NPN
特别适用于高频电子镇流器的照明应用。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
电感的下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
850
400
5
10
32
2.0
0.1
单位
V
V
A
A
W
V
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.4 A
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
850
400
5
10
2
4
32
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
在自由空气
条件
典型值。
-
-
马克斯。
3.95
55
单位
K / W
K / W
1996年3月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT211X
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
1
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
增益带
2
（可接受限度）
1
2
3
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 9.0 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 2 V
分钟。
-
-
-
400
-
-
13
7.5
13
18
23
典型值。
-
-
-
-
0.8
-
21
11
-
-
-
马克斯。
1.0
2.0
10.0
-
2.0
1.3
30
-
20
25
30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
t
s
t
f
参数
开关时间阻性负载
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间感性负载
t
s
t
f
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A; -I
B关
= 0.6 A
典型值。
1.5
0.5
马克斯。
2.0
0.8
单位
s
s
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V ;牛逼
j
= 100 C
1.0
60
1.1
120
1.2
100
1.4
250
s
ns
s
ns
1
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
2
增益捆扎。
产品分为3个频段的增益匹配的目的。
增益频带被打印在设备上。
设备导轨内的所有设备都来自同一增益波段。
然而，盒可含有一个以上的带导轨。
带量显示在盒上的标签。
它是无法订购特定增益频带。
1996年3月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT211X
+ 50v
100-200R
IC
90 %
图标
90 %
10 %
横
示波器
垂直
300R
30-60赫兹
6V
1R
IB
ts
吨
花花公子
IBON
10 %
tr
30ns
-IBoff
tf
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间波形与电阻性负载。
IC / MA
VCC
250
200
LC
IBON
100
LB
T.U.T.
-VBB
0
VCE / V
民
VCEOsust
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。测试电路的电感性负载。
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V ，L
B
= 1 uH容
VCC
图标
90 %
IC
RL
VIM
0
tp
IB
RB
T.U.T.
ts
花花公子
IBON
10 %
tf
t
T
-IBoff
t
如图3所示。测试电路电阻负载。 VIM = -6至+ 8V
V
CC
= 250 V ; TP = 20
s;
δ
= TP / T = 0.01 。
R
B
和R
L
从我计算
CON
我
BON
要求。
图6 。开关时间波形带感性负载。
1996年3月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT211X
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VCESAT / V
IC / IB =
12
10
8
TJ = 25℃
TJ = 125℃
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.1
1
IC / A
10
图7 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
PD / PD
25C
= F（T
mb
)
第Z / （K / W）
BU1706AX
图10 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CESAT
= F（我
C
） ;参数I
C
/I
B
10
VBESAT / V
1.2
TJ = 25℃
TJ = 125℃
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
0.01
D=0
0.001
T
10U 100U 1米10米百米
T / S
1
t
tp
t
p
1.1
1
0.9
0.1
D=
T
0.8
0.7
IC =
5A
3A
2A
1u
10
100
0.6
0
0.4
0.8
1.2
IB / A
1.6
2
2.4
图8 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图11 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BESAT
= F（我
B
） ;参数I
C
VBESAT / V
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.1
1
IC / A
IC / IB =
8
10
12
10
0.1
1
10
VCESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
TJ = 25℃
TJ = 125℃
5A
3A
IC=2A
0.1
1
IB / A
10
图9 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BESAT
= F（我
C
） ;参数I
C
/I
B
图12 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CESAT
= F（我
B
） ;参数I
C
1996年3月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT211X
h
FE
100
5V
IC / A
6
5
4
1V
10
3
2
TJ = 25℃
TJ = 125℃
1
0
1
0.01
0.1
IC / A
1
10
0
200
400
600
800
1000
VCE / V
图13 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
IC / A
100
图15 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
j max的情况
VCC
= 0.01
ICMmax
10
LC
TP =
VCL
10我们
ICMAX
100美
1
II
IBON
LB
T.U.T.
-VBB
500美元
图16 。测试电路RBSOA 。 V
CC
= 150 V; -V
BB
= 5 V
L
C
= 200
H; V
CL
≤
850 V ; L
B
= 1
H
2毫秒
10毫秒
DC
I
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
图14 。正向偏置安全工作区。牛逼
mb
= 25C
I
II
NB ：
允许的直流操作区域。
扩展重复脉冲操作。
安装有散热片和复合
30
±
在该中心的5牛顿的力
信封。
1996年3月
5
启1.000
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUT211X
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小）。
高
高速开关
应用
·设计
高频电子照明镇流器
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
850
400
9
5
10
2
4
32
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
3.95
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUT211X
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
400
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
2.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
1.3
1.0
2.0
10
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 850V; V
BE
= 0
V
CE
= 850V; V
BE
= 0; T
j
= 125℃
V
EB
= 9V ;我
C
= 0
mA
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 2V
13
30
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
7.5
开关时间;阻性负载
μs
μs
t
s
t
f
贮存时间
I
C
= 3A ;我
B1
= 0.3A ;我
B2
= -0.6A
下降时间
2.0
0.8
h
FE-1
分类
1
13-20
2
18-25
3
23-30
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BMB1210B121ETLF
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BL-PDY-GJS-C10
BQ2056WSN
B65807J0000R049
BIR-BL07J4G
B7806
BCX55-10T/R
BQ2058TKSN
BFC233621224
B41888C6827M000
BCR20B10L
BM1012LFNP-B0R4
BA7115L
B65843A0100A038
BIM2009/19/GY
B37981M1101J054
供货商
型号
厂家
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    联系人：杨小姐
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    BUT211X
    -
    -
    -
    -
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BUT211X
NXP/恩智浦
2443+
23000
TO-220F
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电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BUT211X
NXP/恩智浦
24+
32000
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百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BUT211X
PHI
2024
20918
TO-220F
原装现货上海库存，欢迎查询
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BUT211X
PHILIPS/飞利浦
21+
15360
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BUT211X
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21+
15360
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全新原装正品/质量有保证
北京上用科技有限公司
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