高电流PN半桥
BTN7933B
应用信息
6
应用信息
注意：以下信息给出一个提示只有在设备的实施和不得
作为该装置的一个特定功能，条件或质量的说明或担保。
6.1
应用实例
微控制器
XC866
I / O
RESET
VDD
C
Q
22F
稳压器
WO
RO
Q
D
C
D
47nF
反接
保护
D
Z 1
10V
C
S
470F
R
1
10kΩ
TLE
4278G
GND
I
V
S
I / O
I / O
I / O
I / O
VSS
例如
IPD80P03P4L
-07
R
IN1
R
INH1
10kΩ 10kΩ
BTN7933B
INH
IN
IS
SR
OUT
VS
C
Sc1
470nF
C
Sc2
470nF
BTN7933B
VS
INH
IN
OUT
IS
SR
GND
GND
R
INH2
10kΩ
R
IN2
10kΩ
M
R
IS12
470Ω
R
SR1
0..51kΩ
R
SR2
0..51kΩ
大电流H桥
图14
应用举例： H桥有两个BTN7933B
注意：这是一个应用电路的简化示例。该函数必须在实际应用中得到验证。
6.2
布局的注意事项
由于对高电流的快速切换时间，特别小心，要采取的PCB布局。杂散电感
已经被最小化，在功率桥的设计，因为它需要在所有切换高功率桥。该
BTN7933B对电源地和逻辑地没有独立的引脚。因此，建议以保证
转换速率电阻器的接地连接，在电流检测电阻和接地销之间的偏移量
设备（ GND /引脚1）最小化。如果BTN7933B用在H桥或B6的桥梁设计中，电压
之间的不同设备的GND的偏移应为小为好。
的陶瓷电容器从VS到GND接近每个设备建议提供电流的开关
因此，通过低电感的路径相和降低噪声和接地反弹。这方面的一个合理的值
电容器将是约470 nF的。
数字输入需要被保护，免受过量电流（例如由感应电动势引起的尖峰）由一系列
电阻为10 kΩ的范围内。
数据表
22
1.0版， 2009-09-09
