高电流PN半桥
BTN7933B
块描述及特点
5.4
5.4.1
控制和诊断
输入电路
IN和INH控制输入由TTL / CMOS兼容的施密特触发器具有滞后它们控制
集成门极驱动MOSFET的。设置INH引脚为高电平启动设备。在这种状态下的一个
两个电源开关接通时根据不同的IN脚的状态。停用这两个交换机， INH
销必须被设置为低。不需要任何外部驱动器。该BTN7933B可直接输入到一个
微控制器，只要在最大额定值
第4.1章
不超标。
5.4.2
死区时间生成
在桥应用中，必须确保该高侧和低侧的MOSFET不导通的同时
时，直接连接在电池电压到GND。这是有保证的，在驱动器IC的电路，产生一个这样
叫切断一个MOSFET而在另一开关之间的死区时间。在所产生的死区时间
驱动器IC被自动调整到所选择的压摆率。
5.4.3
可调摆率
为了优化电磁发射，所述的MOSFET的开关速度是可调节的由外部
电阻器。压摆率销SR允许用户优化排放和功率耗散之间的平衡
他在自己的应用程序通过连接一个外部电阻
R
SR
到GND 。
5.4.4
状态标志诊断电流检测能力
状态引脚是作为一个组合电流检测和错误标志输出。在正常操作中（电流检测
模式） ，一个电流源连接到所述状态引脚，它提供了一个电流成比例的正向负载
电流流过有源高侧开关。如果高侧开关处于非活动状态或电流流动中的
相反的方向将没有电流被驱动，除了轻微的泄漏电流
I
IS （ LK ）
。外部电阻
R
IS
确定每路输出电流的电压。例如与标称值
6k
用于电流检测的比例
k
ILIS
=
I
L
/
I
IS
中，电阻值
R
IS
= 1 kΩ的导致
V
IS
= (
I
L
/
6
A） V 。在发生故障条件的状态输出
被连接到一个电流源，它是独立的负载电流，并且提供
I
IS （ LIM ）
。最大
电压在IS引脚由外部电阻器的选择的电源电压确定的。在目前的情况下的
不限于
I
IS （ LIM ）
被激活的2 *
t
CLS
.
正常操作：
电流检测模式
VS
ESD -ZD
故障状态：
错误标志模式
VS
IS
ESD -ZD
I
IS
~
I
负载
I
IS （ LIM ）
SENSE
产量
逻辑
I
IS
~
I
负载
R
IS
V
IS
I
IS （ LIM ）
SENSE
产量
逻辑
IS
R
IS
V
IS
图12
感应电流和故障电流
数据表
19
1.0版， 2009-09-09
