新产品
SiA444DJT
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
40
10
32
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10 V直通4 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
24
V
GS
= 3 V
16
6
T
C
= 25
°C
4
8
2
T
C
= 125
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 2 V
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
C
= - 55
°C
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.030
800
传输特性
0.024
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
600
0.018
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
C
国际空间站
400
0.012
V
GS
= 10 V
200
0.006
C
RSS
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
5
10
15
20
25
30
C
OSS
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 11 A
8
V
DS
= 15 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
I
D
= 7.4 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.6
V
GS
= 10 V
1.4
V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 7.5 V
6
V
DS
= 24 V
4
1.2
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 67056
S10-2537 -REV 。 A， 08 - NOV- 10
www.vishay.com
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