新产品
SiA444DJT
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
()
0.017在V
GS
= 10 V
0.022在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
12
4.5
a
Q
g
（典型值）。
7 NC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
新的耐热增强型PowerPAK
SC- 70封装
- 小占位面积
- 超薄0.6毫米高度
符合RoHS指令2002/95 / EC
薄的PowerPAK SC- 70-6L -单
0.
m
6m
应用
DC / DC转换器
高频开关
标识代码
AMX
零件编号代码
XXX
很多可追溯性
和日期代码
S
G
D
D 1
6 D
D 2
5 D
G 3
4 S
S
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
T
C
= 25 °C
连续源极 - 漏极二极管电流
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，F
最大结至外壳（漏）
t
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
28
5.3
最大
36
6.5
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限公司
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。薄的PowerPAK SC- 70是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为80 ° C / W 。
文档编号： 67056
S10-2537 -REV 。 A， 08 - NOV- 10
www.vishay.com
1
m
2.05 m
2.05 m
m
订货信息：
SiA444DJT -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
12
a
12
a
11
A， B，C
8.8
B，C
单位
V
I
D
A
I
DM
I
S
40
12
a
2.9
B，C
19
12
3.5
B，C
2.2
B，C
- 55 150
260
P
D
W
T
J
, T
英镑
°C
