新产品
SiB455EDK
Vishay Siliconix公司
典型特征
1.0
25 ℃，除非另有说明
10
-2
10
-3
0.8
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
T
J
= 25 °C
0.6
I
GSS
- 栅电流（ A）
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.4
0.2
0.0
0
3
6
9
12
15
10
-10
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
栅电流与栅源电压
25
V
GS
= 5
V
通2.5
V
8
V
GS
= 2
V
15
I
D
- 漏电流（ A）
10
栅电流与栅源电压
20
I
D
- 漏电流（ A）
6
10
V
GS
= 1.5
V
5
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.16
8
传输特性
I
D
=
8
A
0.12
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
6
V
DS
= 6
V
4
V
DS
= 3
V
V
DS
= 9.6
V
0.08
V
GS
= 1.5
V
0.04
V
GS
= 1.8
V
V
GS
= 2.5
V
2
0.00
0
5
10
15
V
GS
= 4.5
V
20
25
0
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流（ A）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与漏电流
栅极电荷
文档编号： 65599
S09-2682 -REV 。 A， 14 09年12月
www.vishay.com
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