新产品

SiB455EDK

Vishay Siliconix公司

P通道12 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

(Ω)

0.027在V

GS

= - 4.5 V

- 12

0.039在V

GS

= - 2.5 V

0.069在V

GS

= - 1.8 V

0.130在V

GS

= - 1.5 V

I

D

(A)

- 9

a

- 9

a

- 9

a

-3

11.3 NC

Q

g

（典型值）。

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

新的耐热增强型PowerPAK

SC- 75封装

- 小占位面积

- 低导通电阻

典型的ESD性能1500 V

100 % R

g

经过测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

的PowerPAK SC- 75-6L -单

应用

1

D

2

D

3

6

D

5

D

S

4

S

1.60 mm

G

零件编号代码

BKX

XXX

很多可追溯性

和日期代码

G

R

S

负荷开关， PA的开关和电池

开关用于便携式设备

标识代码

1.60 mm

D

订货信息：

SiB455EDK -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

P沟道MOSFET

绝对最大额定值

T

A

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

极限

- 12

± 10

- 9

a

- 9

a

- 7.8

B，C

- 6.2

B，C

- 25

- 9

a

- 2

B，C

13

8.4

2.4

B，C

1.6

B，C

- 55 150

260

单位

V

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

A

最大功率耗散

P

D

T

J

, T

英镑

W

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

D，E

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结至外壳（漏）

B，F

t

≤

5s

稳定状态

符号

R

thJA

R

thJC

典型

41

7.5

最大

51

9.5

单位

° C / W

注意事项：

一。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

。 T = 5秒。

。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SC- 75是一种无引线封装。引线端子的端部露出

铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，

并不需要保证足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

F。在稳态条件下最大为105 ° C / W 。

文档编号： 65599

S09-2682 -REV 。 A， 14 09年12月

www.vishay.com

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