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SiC414
Vishay Siliconix公司
V
OUT
漂移
up
要因泄漏
电流转换成C
OUT
智能节电
阈值（ 825毫伏）
FB
门槛
DH和DL关闭
高边
驱动（ DH ）
单DH导通时间脉冲
后DL关断
低端
驱动器（ DL ）
DL开启
当
灵巧
PSAVE达到阈值
DL关闭FB
达到阈值
正常
DH后DL脉冲
导通时间脉冲
V
OUT
放电
通过
感应器
和低侧MOSFET
普通V
OUT
纹波
需要注意的是，因为低侧MOSFET，具有低R
DS （ ON）
is
用于电流检测， PCB布线，焊接
连接和PCB连接LX节点必须
用心做，以取得良好的效果。参考布局
指南信息。
软启动PWM调节器
软启动的PWM调节器通过使用所获得的
内部电压斜坡作为FB参考
比较器。使用内部产生的电压斜坡
电荷泵驱动所述参考从零到750毫伏
在 1.2 mV递增，使用内部500千赫
振荡器。当斜坡电压达到750 mV时，斜坡
被忽略， FB比较器切换到一个固定的
750 mV的阈值。在软启动输出电压轨
内部斜坡，这限制了起动时的浪涌电流和
提供受控的软启动信息为广泛的
应用程序。典型的软启动斜坡时间为850微秒。中
软启动调节器关闭的低侧MOSFET上的任何
周期，如果电感器电流下降到零。这可以防止
负电感电流，使器件开始进入
预偏置输出。
电源良好输出
电源良好（P
良好
）输出为开漏输出
这需要一个上拉电阻。当输出电压为
低于额定电压，P 10％
良好
被拉低。这是
保持低电平，直到输出电压返回上面 - 8 ％
标称。 P
良好
在启动期间保持为低，也不会
允许变为高电平，直到软启动完成后（当
V
FB
达到750毫伏） ，通常为2 ms已经过去了。
P
良好
将会变为低电平，如果在V
FB
销超过+ 20％
名义上，这也是该过电压关断阈值
（ 900毫伏） 。 P
良好
也拉低如果EN / PSV引脚为低电平
当V5V存在。
输出过电压保护
过电压保护，一旦被激活的
设备被使能。将阈值设定在750毫伏+ 20％
（ 900毫伏） 。当V
FB
超过过压保护阈值， DL锁存器
高，低边MOSFET导通。 DL遗体
高和控制器保持关闭，直到EN / PSV输入
切换或V5V的循环。有内置的一个5微秒的延迟
OVP检测，以防止错误的转换。 P
良好
也低
一个OVP事件之后。
输出欠压保护
当V
FB
属于它的额定电压低于25 ％ （下降到
562.5毫伏）连续八时钟周期，切换器是
切断， DH和DL驱动器被拉低到三态
MOSFET的。该控制器保持关机状态，直到EN / PSV是
切换或V5V的循环。
V5V UVLO和POR
欠压锁定（ UVLO ）电路禁止开关
和三态DH / DL驱动器，直到V5V上升超过3.9 V.
内部上电复位（ POR）时发生V5V
超过3.9伏，复位故障锁存器和软启动
文档编号： 65726
S10-1091 -REV 。 B， 03月10
图7 - 智能省电
电流限制保护
该SiC414具有可编程的电流限制能力，
这是由使用R来实现
DS （ ON）
的下
MOSFET的电流感应。电流限制由R设定
ILIM
电阻器。第r
ILIM
电阻从I连接
LIM
引脚到
LX引脚这也是低侧MOSFET的漏极。
当低侧MOSFET导通时，内部 10 μA
从I流过电流
LIM
引脚和R用
ILIM
电阻器，创建
该电阻两端的电压降。而低侧
MOSFET导通时，电感电流流过它，
创建横跨R A的电压
DS （ ON）
。在整个电压
管导通的负相对于地面。
如果该MOSFET的电压降超过两端的电压
R
ILIM
，在我的电压
LIM
销将是负电流
限制将被激活。电流极限然后保持低侧
MOSFET上也不会允许在时间的另一高端，
直到在低侧MOSFET的电流减小到足够
带上我
LIM
电压恢复到零。这种方法调节
电感谷值电流的水平我表示
LIM
in
网络连接gure 8 。
I
PEAK
电感电流
I
负载
I
LIM
时间
图8 - 谷电流限制
设置谷电流限制到6的结果在6峰值
电感电流和峰值纹波电流。在这种情况下，该
平均（负载）电流通过电感为6 A加单
半峰 - 峰纹波电流。
内部10 μA电流源的温度
在4100 ppm的，以提供与跟踪补偿
第r
DS （ ON）
。第r
ILIM
值由下式计算出
方程。
R
ILIM
= 1250 ×1
LIM
×〔 0.088 ×（ 5伏 - V5V ）+1 ]
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