SiC414
Vishay Siliconix公司
microBUCK
TM
SiC414
6 A， 28 V集成降压稳压器采用5 V LDO
描述
在日前，Vishay Siliconix的SiC414是一种先进的单机
同步降压型稳压器具有集成功率
MOSFET时，自举开关，和一个内部5伏的LDO在一个
节省空间的MLPQ 4× 4 - 28引脚封装。
该SiC414能够与全瓷解决方案的操作
和开关频率高达1 MHz 。可编程
频率同步运行和可选
节电允许操作可以在整个高效率
负载电流范围内。内部LDO可用于
提供5伏的栅极驱动电路，或者它可能被绕过
与外部的5V电压，以获得最佳效率和用于驱动
外部n沟道MOSFET或其他负载。另外
功能包括逐周期电流限制，软压
启动，欠压保护，可编程过流
保护，软关断和可选节电。该
的Vishay Siliconix公司SiC414还提供了一个使能输入端和一个
电源良好输出。
特点
高效率> 95 ％
6连续输出电流能力
集成的自举开关
集成5 V / 200毫安LDO旁路逻辑
温度补偿的电流限制
伪固定频率自适应导通时间控制
全瓷解决方案使
可编程输入欠压锁定阈值
独立的使能引脚的转换器和LDO
可选择超声波省电模式
内部软启动和软关断
1％的内部基准电压
电源良好输出和过压保护
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
输入电压范围
输出电压范围
工作频率
连续输出电流
峰值效率
包
3 V至28 V
0.75 V至5.5 V
200千赫兹至1 MHz
6A
的95％ ，在300千赫兹
MLPQ 4毫米×4mm的
应用
笔记本，台式机和服务器计算机
数字高清晰度电视和数字消费应用
网络和电信设备
打印机， DSL和机顶盒的应用
嵌入式应用
负载电源点
典型应用电路
LDO_EN
V
OUT
P
良好
EN / PSV （三态）
3.3
V
28 27 26 25 24
吨
ENL
A
GND
EN / PSV
LX
1 FB
23 22
P
良好
I
LIM
V
OUT
LX 21
LX 20
P
GND
19
2
V5V
3 A
GND
V
IN
4
V
OUT
5
V
IN
6
V
LDO
PAD1
A
GND
PAD3
LX
PAD2
V
IN
P
GND
P
GND
18
P
GND
17
P
GND
16
P
GND
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
8
9
10 11 12
LX
7 BST
LX 15
13 14
SiC414 （ MLP 4× 4-28L ）
文档编号： 65726
S10-1091 -REV 。 B， 03月10
www.vishay.com
1
SiC414
Vishay Siliconix公司
引脚配置（顶视图）
EN / PSV
吨
ENL
P
良好
21
20
PAD3
LX
PAD2
V
IN
10
11
12
13
14
19
18
17
16
15
8
9
A
GND
28 27 26 25
FB
V5V
A
GND
V
OUT
V
IN
V
LDO
BST
1
2
3
4
5
6
7
PAD1
A
GND
24 23 22
LX
LX
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
LX
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
LX
P
GND
I
LIM
引脚说明
引脚数
1
2
3, 26, P1
4
5,8至11 ， P2的
6
7
12, 15, 20, 21,
24, P3
13 ，第14，第16至19
22
23
25
27
28
符号
FB
V5V
A
GND
V
OUT
V
IN
V
LDO
BST
LX
P
GND
P
良好
I
LIM
EN / PSV
t
ON
ENL
描述
反馈输入开关稳压器。连接到一个外部电阻分压器从输出编程
输出电压。
5 V电源输入为内部模拟电路和栅极驱动器。连接到外部5 V电源或配置
LDO为5 V ，并连接到V
LDO
.
模拟地。
输出电压输入到SiC414 。另外，可用于绕过的LDO供给V
LDO
直接。
输入电源电压。
LDO输出。
引导针。电容器连接BST之间LX发展的浮动电压，高边
栅极驱动。
开关（一期）节点。
电源地。
开漏电源良好指示器。高阻抗指示电源良好。一个外部上拉电阻
所需。
限流检测点 - 编程电流限制从我连接一个电阻
LIM
于LX 。
三态引脚。使能输入的开关稳压器。 EN连接到A
GND
以禁用开关稳压器。
浮针强制连续拉高的省电模式。
上一次设定的输入。由串联电阻器的输入电源电压来设定的导通时间。
使能输入的LDO 。 ENL连接到A
GND
禁用LDO 。
订购信息
产品型号
SiC414CD-T1-GE3
SiC414DB
包
MLPQ44-28
评估板
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2
P
GND
LX
文档编号： 65726
S10-1091 -REV 。 B， 03月10
SiC414
Vishay Siliconix公司
功能框图
2
V5V
V5V
22
P
良好
25
EN / PSV
5,
8
至11日， PAD2
V
IN
V
IN
A
GND
3 ， 26 ， PAD1
参考
控制和状态
V5V
DL
BST
7
软启动
LX
12, 15, 20, 21,
24 PAD3
V5V
P
GND
零交叉
探测器
旁路比较
V
LDO
6
Y
A
B
MUX
V
IN
LDO
ENL
Valley1-Limit
13 ，第14，第16至19
I
LIM
23
FB
1
吨
27
V
OUT
4
+
-
FB比较器
ON- TIME
发电机
栅极驱动器
控制
28
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
LX至P
GND
电压
LX至P
GND
电压（瞬态 - 100纳秒）
V
IN
以P
GND
电压
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
，在
GND
BST引导到LX ; V5V为P
GND
A
GND
以P
GND
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
, V
OUT
, V
LDO
， FB ， FBL到GND
t
ON
以P
GND
BST为P
GND
V
AG- PG
符号
V
LX
V
LX
V
IN
分钟。
- 0.3
-2
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
马克斯。
+ 30
+ 30
+ 30
V5V + 0.3
+ 6.0
+ 0.3
+ (V5V + 0.3)
+ (V5V - 1.5)
+ 35
V
单位
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
V5V为P
GND
V
OUT
以P
GND
符号
V
IN
V5V
V
OUT
分钟。
3.0
3.0
0.75
典型值。
马克斯。
28
5.5
5.5
V
单位
注意：
对于正确的操作，该设备应在推荐的条件内使用。
热电阻额定值
参数
储存温度
最高结温
工作结温
符号
T
英镑
T
J
T
J
分钟。
- 40
-
- 25
典型值。
马克斯。
+ 150
150
+ 125
°C
单位
文档编号： 65726
S10-1091 -REV 。 B， 03月10
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3
SiC414
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
热阻，结到环境
b
高边MOSFET
低边MOSFET
PWM控制器和LDO热阻
峰值回流焊温度
T
回流
-
25
20
50
260
° C / W
°C
注意事项：
一。此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
B 。从封装在静止空气中计算，安装3× 4.5 （英寸） ， 4层FR4 PCB ，每JESD51标准的裸露焊盘下的散热孔。
超过上述规格可能会导致设备或设备故障造成永久性损坏。参数之外运行
specififed在电气特性部分，不推荐。
电气规格
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V ， V5V = 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 25 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
感测的ENL销，上升沿
感觉到在ENL引脚，下降沿
EN / PSV =高
测量V5V引脚，上升沿
测量V5V引脚，下降沿
EN / PSV ， ENL = 0 V ，V
IN
= 28 V
V
IN
电源电流
I
IN
待机模式：
ENL = V5V ， EN / PSV = 0 V
EN / PSV ， ENL = 0 V
V5V电源电流
I
V5V
EN / PSV = V5V ，无负载（F
SW
= 25千赫） ，
V
FB
> 750毫伏
b
f
SW
= 250 kHz时， EN / PSV =浮动，空载
调节器
FB导通时间阈值
频带
定时
ON- TIME
最小导通时间
b
最小关断时间
b
软启动
软启动时间
b
模拟量输入/输出
V
OUT
输入阻抗
电流检测
过零检测器阈值电压
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好阈值电压
启动延迟时间
故障（噪声抗扰度）延迟时间
电源良好泄漏电流
电源良好导通电阻
b
b
b
参数
输入电源
V
IN
UVLO阈值电压
a
V
IN
UVLO迟滞
V5V UVLO阈值电压
V5V UVLO迟滞
符号
V
IN_UV +
V
IN_UV-
V
IN_UV_HY
V
5V_UV+
V
5V_UV-
V
5V_UV_HY
分钟。
2.4
2.235
2.5
2.4
典型值。
2.6
2.4
0.2
2.9
2.7
0.2
8.5
130
3
2
10
马克斯。
2.95
2.565
3.0
2.9
20
单位
V
A
7
mA
V
FB- TH
F
PWM
静伏
IN
和负载， - 40 ° C至+ 85°C
连续模式
0.7425
200
0.750
10
0.7575
1000
V
千赫
自举开关电阻
连续模式操作V
IN
= 15 V,
V
OUT
= 5 V，F
SW
= 300千赫，R
吨
= 133 k
t
ON
t
ON
t
关闭
t
SS
R
O型IN
V
某种意义上个
PG_V
TH_UPPER
PG_V
TH_LOWER
PG_T
d
PG_I
CC
PG_I
LK
PG_R
DS -ON
1350
1500
80
320
1650
ns
I
OUT
= I
LIM
/2
1.7
500
ms
k
+ 4.7
mV
LX -P
GND
V
FB
>内参750毫伏
V
FB
<内参750毫伏
V
EN
= 0 V
V
EN
= 0 V
V
EN
= 0 V
V
EN
= 0 V
- 3.5
0.5
+ 20
- 10
2
5
%
ms
s
1
A
10
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4
文档编号： 65726
S10-1091 -REV 。 B， 03月10
SiC414
Vishay Siliconix公司
电气规格
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V ， V5V = 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 25 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
参数
故障保护
I
LIM
源出电流
谷电流限制
I
LIM
比较器的失调电压
输出欠压故障
智能节电保护
阈值电压
b
过压保护门限
过压故障延时
b
过温关闭
逻辑输入/输出
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
EN / PSV输入偏置电流
ENL输入偏置电流
FBL ， FB输入偏置电流
线性差稳压器
VLDO精度
LDO电流限制
V
LDO
到V
OUT
切换门限
c
V
LDO
到V
OUT
非切换
LDO降稳压
d
门槛
c
V
LDO
到V
OUT
切换电阻
b
符号
I
LIM
分钟。
典型值。
8
马克斯。
单位
A
R
ILIM
= 5 k
V
ILM -LK
V
OUV_Fault
P
SAVE_VTH
相对于
GND
V
FB
相对于内部500毫伏
基准，连续8个时钟
V
FB
相对于内部500毫伏
参考
V
FB
相对于内部500毫伏
参考
t
OV-延迟
T
关闭
V
IN +
V
IN-
I
恩
FBL_I
LK
VLDO
加
LDO_I
LIM
V
LDO - BPS
V
LDO - NBPS
R
LDO
V
OUT
= 5 V
从V
IN
到V
VLDO
, V
VLDO
= + 5 V,
I
VLDO
= 100毫安
10 °C的迟滞
3
-8
4
0
- 25
+ 10
5.3
+8
A
mV
%
%
+ 20
5
150
1
0.4
- 10
11
-1
4.9
134
- 140
- 450
2
1.2
5.0
85
200
+ 140
+ 450
+ 10
18
+1
5.1
V
mA
mV
V
A
s
°C
EN ， ENL ， PSV
EN / PSV = V5V或A
GND
V
IN
= 28 V
FBL ， FB = V5V或A
GND
V
LDO
负载= 10毫安
启动和折返，V
IN
= 12 V
工作电流限制，V
IN
= 12 V
V
注意事项：
A. V
在UVLO
是可编程的，使用从V的电阻分压器
IN
到ENL到A
GND
。的ENL电压进行比较的内部参考。
B 。通过设计保证。
。的切换阈值是V之间的最大电压的diff erential
LDO
和V
OUT
销可确保V
LDO
将内部
切换到V
OUT
。非切换的阈值是V之间的最小电压的diff erential
LDO
和V
OUT
销，它们可确保
V
LDO
不会切换到V
OUT
.
。该LDO辍学电压是使LDO输出降至2 ％，低于标称稳压点的电压。
文档编号： 65726
S10-1091 -REV 。 B， 03月10
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5
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