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新产品
SiE726DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
200
140
120
160
Po
w
呃耗散（
W
)
包装有限公司
I
D
- 漏电流（ A）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
120
80
40
0
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额，结至外壳
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 68626
S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月
www.vishay.com
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